[发明专利]QLED器件的封装方法及封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置封装领域，尤其涉及一种QLED器件的封装方法及封装结构。

背景技术

有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display,OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体地，OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。

量子点(quantum dot,QD)是半径小于或者接近波尔激子半径的纳米晶颗粒，其尺寸粒径一般介于1-20nm之间。量子点具有量子限域效应，受激发后可以发射荧光。而且量子点具有独特的发光特性，例如激发峰宽、发射峰窄、发光光谱可调等性质，使得其在光电发光领域具有广阔的应用前景。量子点发光二极管(quantum dot light emitting diode,QLED)就是以量子点作为发光层的电致发光器件，在不同的导电材料之间引入量子点发光层从而得到所需要波长的光。经过二十多年来的发展，由于具有尺寸可调、波长可调、发光光谱半峰宽极窄、色域面积大、电致发光效率极高、可溶液制程降低损耗等优点，量子点发光二极管已成为下一代显示技术的极具潜力的竞争者。

然而QLED器件对水氧非常敏感，极易受到周围环境的水氧影响而造成器件失效，故需要极高密闭性的封装结构，然而高密闭的封装结构又会导致器件散热困难，从而严重制约了其效率和寿命表现。因而如何保证器件同时兼备密封性和散热性成为封装结构亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种QLED器件的封装方法，能够在保证密封性和出光效率的同时，将QLED器件产生的热量及时有效地导出，从而提高器件的稳定性，延长QLED器件的使用寿命。

本发明的另一目的在于提供一种QLED器件的封装结构，对水氧具有较高阻隔密封性，且QLED器件产生的热量能够及时有效地导出，从而提高器件的稳定性，延长QLED器件的使用寿命。

为实现上述目的，本发明首先提供一种QLED器件的封装方法，包括如下步骤：

步骤1，提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成QLED器件；

步骤2，在所述QLED器件和衬底基板上形成薄膜封装层；

所述薄膜封装层包括交替层叠设置的多层无机阻挡层和至少一层有机缓冲层；

所述有机缓冲层中掺杂有导热材料。

所述步骤2形成的薄膜封装层的具体方法为：在所述QLED器件和衬底基板上形成一层无机阻挡层，在所述无机阻挡层形成一层有机缓冲层，重复多次上述制作步骤，形成多层无机阻挡层和至少一层有机缓冲层交替层叠设置的薄膜封装层。

所述导热材料为氧化石墨烯；所述有机缓冲层中导热材料的质量分数小于或等于5％。

形成有机缓冲层的具体方法为：在所述无机阻挡层上将导热材料、有机物及有机溶剂的混合物通过丝网印刷、旋涂、喷墨打印或流延成膜的方式形成有机膜层，并固化该有机膜层得到所述有机缓冲层；所述有机物为环氧树脂、硅基聚合物及聚甲基丙烯酸甲酯中的一种或多种的组合，所述有机溶剂为乙醇、甲苯、苯酚、或苯甲醚。

所述有机缓冲层的厚度为500-2000nm。

本发明还提供一种QLED器件的封装结构，包括：

衬底基板；

设于所述衬底基板上的QLED器件；

设于所述衬底基板上并覆盖所述QLED器件的薄膜封装层；

所述薄膜封装层包括交替层叠设置的多层无机阻挡层和至少一层有机缓冲层；

所述有机缓冲层中掺杂有导热材料。

所述有机缓冲层的厚度为500-2000nm。

所述有机缓冲层中的有机物为环氧树脂、硅基聚合物及聚甲基丙烯酸甲酯中的一种或多种的组合。

所述导热材料为氧化石墨烯；所述有机缓冲层中导热材料的质量分数小于或等于5％。

所述薄膜封装层中靠近QLED器件的一层为无机阻挡层。