[发明专利]动态随机存取存储器的制作方法

说明书

本发明公开一种动态随机存取存储器的制作方法，包含提供一基底，然后，形成一第一掩模层，其中形成第一掩模层的步骤包含先形成一含氢氮化硅层，再形成一氧化硅层覆盖并接触含氢氮化硅层，其中含氢氮化硅层的化学式为Si_xN_yH_z，X的数值介于4至8之间、Y的数值介于3.5至9.5之间、Z的数值等于1，然后图案化第一掩模层以形成一图案化第一掩模层，接着以图案化第一掩模层为掩模，蚀刻基底以形成一字符线沟槽，然后完全移除图案化第一掩模层，最后形成一字符线于字符线沟槽。

技术领域

本发明涉及一种动态随机存取存储器的制作方法，特别是涉及一种避免字符线断裂的制作方法。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)属于一种挥发性存储器，其是由多个存储单元构成。每一个存储单元主要是由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容所构成，且每一个存储单元通过字符线与位线彼此电连接。

为提高动态随机存取存储器的集成度以加快元件的操作速度，以及符合消费者对于小型化电子装置的需求，近年来发展出埋入式字符线(buried word line)，以满足上述种种需求。在制作埋入式字符线时，需要形成字符线沟槽，使用传统制作工艺所形成的字符线沟槽经常发生字符线沟槽断裂或是同一条字符线沟槽宽度不一的情况，如此将会造成后续所形成的字符线的电性问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种避免字符线沟槽缺陷的制作方法。

根据本发明的一优选实施例，一种动态随机存取存储器的制作方法，包含提供一基底，然后，形成一第一掩模层，其中形成第一掩模层的步骤包含先形成一含氢氮化硅层，再形成一氧化硅层覆盖并接触该含氢氮化硅层，其中含氢氮化硅层的化学式为Si_xN_yH_z，X的数值介于4至8之间、Y的数值介于3.5至9.5之间、Z的数值等于1，然后图案化第一掩模层以形成一图案化第一掩模层，接着以图案化第一掩模层为掩模，蚀刻基底以形成一字符线沟槽，然后完全移除图案化第一掩模层，最后形成一字符线于字符线沟槽。

附图说明

图1至图7为本发明的优选实施例所绘示的动态随机存取存储器的制作方法的示意图。

主要元件符号说明

10 基底 12 半导体基底

14 保护层 16 浅沟槽绝缘

18 掺杂区 20 第二掩模层

22 第一掩模层 24 含氢氮化硅层

26 氧化硅层 28 字符线沟槽

30 栅极介电层 32 字符线

34 功函数层 36 帽盖层

38 层间介电层 40 位线插塞

42 电容插塞 44 电容

100 动态随机存取存储器 118 源极/漏极掺杂区

120 图案化第二掩模层 122 图案化第一掩模层

具体实施方式