[发明专利]一种晶圆级功率半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种晶圆级功率半导体器件，包括有源区（A）和终端保护与截止保护区（T），所述有源区（A）位于晶圆级功率半导体器件的中心区，所述终端保护与截止保护区（T）位于所述有源区（A）的外圈，其特征在于，所述有源区（A）包括：第一导电类型衬底（1）和设置在所述第一导电类型衬底（1）上的第一导电类型衬底外延层（2），在所述第一导电类型衬底外延层（2）上形成沟槽，所述沟槽内壁形成绝缘氧化层（3），所述沟槽内填充导电多晶硅（4），所述导电多晶硅（4）形成为栅极区域（a），所述第一导电类型衬底外延层（2）上形成第二导电类型体区（5），所述第二导电类型体区（5）上形成第一导电类型源极（6），所述第一导电类型源极（6）和所述第一导电类型衬底外延层（2）的上表面形成绝缘介质层（7），所述绝缘介质层（7）上形成源极引线孔（8a）、漏极引线孔（8b）和栅极引线孔，所述源极引线孔（8a）、漏极引线孔（8b）和栅极引线孔上形成源漏栅金属层（9），所述源漏栅金属层（9）形成为漏极区域（c）、源极区域（b）和栅极区域（a），所述源漏栅金属层（9）上淀积和刻蚀绝缘钝化层（10），所述绝缘钝化层（10）上形成第一金属垫层（11）和第二金属垫层（13），所述源漏栅金属层（9）与所述导电多晶硅（4）之间通过栅极引线孔连接，所述第一导电类型源极（6）通过源极引线孔（8a）与所述源漏栅金属层（9）连接，所述第一导电类型衬底外延层（2）通过漏极引线孔（8b）与所述源漏栅金属层（9）连接，且所述源极引线孔（8a）、漏极引线孔（8b）和栅极引线孔均为同一光刻板、同一刻蚀步骤以及同一金属淀积步骤形成。

2.根据权利要求1所述的晶圆级功率半导体器件，其特征在于，所述有源区（A）还包括形成在所述第二金属垫层（13）上的焊球（12）。

3.根据权利要求1所述的晶圆级功率半导体器件，其特征在于，所述漏极引线孔（8b）的孔径大于或者等于0.2μm。

4.根据权利要求1所述的晶圆级功率半导体器件，其特征在于，所述绝缘氧化层（3）的厚度范围在100Å~1000 Å之间。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的晶圆级功率半导体器件，其特征在于，所述第二金属垫层（13）的厚度大于15μm。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的晶圆级功率半导体器件，其特征在于，所述晶圆级功率半导体器件包括N型晶圆级功率半导体器件和P型晶圆级功率半导体器件，当所述晶圆级功率半导体器件为所述N型晶圆级功率半导体器件时，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型，当所述晶圆级功率半导体器件为所述P型晶圆级半导体器件时，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。

7.一种晶圆级功率半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供第一导电类型衬底（1）；

在所述第一导电类型衬底（1）上形成第一导电类型衬底外延层（2）；

在所述第一导电类型衬底外延层（2）上刻蚀形成沟槽；

在所述沟槽的内壁生长绝缘氧化层（3）；

在所述沟槽内形成导电多晶硅（4）；

在所述第一导电类型衬底外延层（2）上离子注入形成第二导电类型体区（5）；

在所述第二导电类型体区（5）上形成第一导电类型源极（6）；

在所述第一导电类型源极（6）上淀积绝缘介质层（7）；

对所述绝缘介质层（7）、所述第一导电类型外延层（2）和所述第一导电类型源极同时进行选择性刻蚀得到源极引线孔（8a）、漏极引线孔（8b）和栅极引线孔；

在所述绝缘介质层（7）上淀积源漏栅金属层（9）；

对所述源漏栅金属层（9）选择性的掩蔽和刻蚀得到漏极区域（c）、源极区域（b）和栅极区域（a），所述漏极区域（4）通过漏极引线孔（8b）与所述第一导电类型衬底外延层（2）连接，所述源极区域（b）通过所述源极引线孔（8a）与所述第一导电类型源极（6）连接；

在所述源漏栅金属层（9）上淀积绝缘钝化层（10）；

对所述绝缘钝化层（10）选择性的遮蔽和刻蚀得到栅极金属位置；

在所述栅极金属位置形成第一金属垫层（11）；

在所述第一金属垫层（11）上形成第二金属垫层（13）。