[发明专利]一种用于倒装芯片的紫外发光二极管及衬底刻蚀方法

权利要求书

1.用于倒装芯片的紫外发光二极管，包括P型电极和N型电极，以及依次形成的衬底、缓冲层、N型半导体层、发光区、P型半导体层和接触层，其特征在于，所述衬底作为出光面，其中，衬底正面与缓冲层接触，且衬底背面刻蚀有多个大小相等且规则排列的聚光体。

2.根据权利要求1所述的用于倒装芯片的紫外发光二极管，其特征在于，所述聚光体为平顶的圆锥体、半球体或半椭球体。

3.根据权利要求1所述的用于倒装芯片的紫外发光二极管，其特征在于，刻蚀前所述衬底背面表面平滑，并附有一层掩蔽层。

4.根据权利要求3所述的用于倒装芯片的紫外发光二极管，其特征在于，掩蔽层材料包括光刻胶、SiO2、SiN或Ni。

5.根据权利要求1所述的用于倒装芯片的紫外发光二极管，其特征在于，所述多个聚光体呈阵列式排布。

6.根据权利要求1所述的用于倒装芯片的紫外发光二极管，其特征在于，所述聚光体的尺寸为微米级或纳米级。

7.根据权利要求1所述的用于倒装芯片的紫外发光二极管，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。

8.一种权利要求1至7任一项所述的用于倒装芯片的紫外发光二极管的衬底刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、按照预定的图形尺寸，在掩蔽层及衬底上从上至下刻蚀出多个大小相等的初始聚光体，所述初始聚光体为圆锥体、半球体或半椭球体；

S2、将刻蚀后的掩蔽层及衬底置入显影液中，所述显影液溶解掩蔽层；

S3、掩蔽层完全去除后，露出衬底背面平顶的聚光体，清洗并烘干所述衬底。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在步骤S1中，所述初始聚光体，是采用干法刻蚀的感应耦合反应粒子刻蚀方式得到。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述刻蚀方式使用气体包括BCl3、HBr、HCl、SF6及Cl2的两种或两种以上混合气体。