[发明专利]一种制备氧化铝单晶的方法在审
| 申请号： | 201710935935.2 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107829132A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 董行行;王操;赵喆 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术大学 |
| 主分类号： | C30B1/02 | 分类号： | C30B1/02;C30B29/20 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200235 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氧化铝 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备氧化铝单晶的方法，其特征在于包括如下步骤：
1）用放电等离子烧结设备将添加有烧结助剂的氧化铝粉末烧结，制得氧化铝陶瓷；所述的烧结助剂的量为氧化铝粉末质量的400～800ppm；
2）制备浓度为0.1mol/L～0.3mol/L的钙硅离子溶液，将其旋涂在前述氧化铝陶瓷的表面，在800℃～1000℃烧除前驱体；钙硅离子溶液中，钙离子和硅离子的摩尔比为1：1；
3）将氧化铝单晶切割成宽度为1～2mm的正方体小片作为籽晶，将籽晶与氧化铝陶瓷放在石墨磨具中进行烧结：烧结温度为1500℃～1700℃，升温速率为100℃/min，保温时间5～10min；
4）将步骤3）烧结得到的样品进行磨抛光处理，直至表面成镜面；
5）将步骤4）抛光好的样品在温度为1300℃～1500℃的条件下进行热处理，获得氧化铝单晶。
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