[发明专利]一种生成纳米晶界高电阻率膜降低镍锌铁氧体功率损耗的方法有效

专利信息
申请号: 201710936392.6 申请日: 2017-10-10
公开(公告)号: CN107778001B 公开(公告)日: 2018-12-28
发明(设计)人: 严密;金佳莹;姜银珠;霍骅鑫;包大新;杜阳忠;魏中华 申请(专利权)人: 浙江大学;横店集团东磁股份有限公司
主分类号: C04B35/30 分类号: C04B35/30;C04B35/626;C04B35/64;H01F1/36;H01F41/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 郑海峰
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 生成 纳米 晶界高 电阻率 降低 铁氧体 功率 损耗 方法
【权利要求书】:

1.一种生成纳米晶界高电阻率膜降低镍锌铁氧体功率损耗的方法,其特征在于包括如下步骤:

(1)一次配料

按化学式,其中:x=0.2~0.8,y=0.2~0.8,计算得到主成分各含Ni、Zn、Fe化合物的质量百分数进行配料;

(2)一次球磨

将主成分均匀混合,将所称取的主成分放入球磨机,球磨1~5h,得到一次球磨粉料;

(3)预烧结

将一次球磨后得到的粉料,在600~1350℃的预烧温度下保温1~4小时,得到部分已经形成尖晶石结构的预烧粉料;

(4)二次配料

在预烧粉料中加入一种或多种高电阻低熔点氧化物作为添加剂,所有添加的高电阻低熔点氧化物的含量按主成分的总量计为100~20000ppm;所述的添加剂相比未加添加剂的镍锌铁氧体主相,电阻率较大,熔点较低;所述的高电阻低熔点氧化物选自V2O5,Bi2O3, B2O3,Na2O, Nb2O5, ZrO2, MoO2, CaO, SiO2, InO2, TiO2,CuO中的一种或多种; 所述的步骤(4)添加的高电阻低熔点氧化物为纳米氧化物,颗粒尺寸为10~500纳米;

(5)二次球磨

将二次配料后得到的粉料均匀混合后放入球磨机,球磨至粉料粒径0.8~2μm,得到二次球磨粉料;通过球磨控制铁氧体粉体烧结后的直径达到单畴尺寸以下,

(6)造粒

根据二次球磨后的粉料总重量,加入聚乙烯醇水溶液,其中聚乙烯醇的加入量为粉料总质量的3 wt%~10 wt%,研磨过筛成颗粒;

(7)压制成型

将造粒所得的颗粒料压制成型为生坯产品,生坯密度要达到2.6~3.6;

(8)烧结

烧结温度为900~1350℃,保温0.5~8h,烧结过程中气氛为空气,冷却出炉得到低损耗镍锌软磁铁氧体材料。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学;横店集团东磁股份有限公司,未经浙江大学;横店集团东磁股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710936392.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top