[发明专利]一种宽带高线性度的射频发射前端电路

权利要求书

1.一种宽带高线性度的射频发射前端电路，在基带和本振端口采用基于共栅放大器-共源放大器结构的巴伦实现超宽带输入匹配，在射频端口采用基于推挽结构的A类功率放大器实现超宽带输出匹配，包括：基带单转双模块、本振单转双模块、混频器模块、可变增益放大器模块及驱动放大器模块，其中，

基带单转双模块将单端中频输入信号转换为差分形式，提供给混频器模块的跨导单元，输入匹配网络由第一晶体管(M1)、串联在第一晶体管(M1)栅极与地端之间的第一电容(C1)共同组成，用以实现基带端口5M～200MHz的宽带输入匹配；

本振单转双模块将单端本振输入信号转换为差分形式，提供给混频器模块的开关单元，输入匹配网络由第三晶体管(M3)、串联在第三晶体管(M3)栅极与地端之间的第二电容(C2)及串联在输入端与第三晶体管(M3)栅极之间的第三电感(L3)组成，用以实现本振端口400M～0.2GHz的宽带输入匹配；

混频器模块采用正交双平衡吉尔伯特结构，将基带单转双模块提供的中频信号通过与本振单转双模块提供的本振信号进行电流换向调制，转换为射频差分信号提供给可变增益放大器模块；

可变增益放大器模块采用基于跨导可变的共源共栅放大器对混频器输出的射频信号进行增益控制，并将信号提供给驱动放大器模块；

驱动放大器模块采用基于源级跟随器-共源放大器结构的双转单巴伦和基于推挽结构的A类功率放大器，将可变增益放大器提供的差分射频信号转换为单端信号，并提供一定功率增益。

2.根据权利要求1所述的射频发射前端电路，其特征在于，所述基带单转双模块还包括第二晶体管(M2)及第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)；

其中，所述第一晶体管(M1)第六电阻的栅极与第一电容(C1)第一端连接，源极与第三电阻(R3)第一端连接，漏极与第一电阻(R1)第一端连接；所述第二晶体管(M2)的栅极与第三电阻(R3)第一端连接，源极与地端连接，漏极与第二电阻(R2)第一端连接；所述第一电容(C1)第二端与地端连接；所述第三电阻(R3)第二端与地端连接；所述第一电阻(R1)和第二电阻(R2)的第二端均与电源VDD连接。

3.根据权利要求2所述的射频发射前端电路，其特征在于，所述本振单转双模块还包括：第四晶体管(M4)及第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第一电感(L1)和第二电感(L2)；

其中，所述第三晶体管(M3)的栅极与第二电容(C2)第一端连接，源极与第六电阻(R6)第一端连接，漏极与第一电感(L1)第一端连接；所述第四晶体管(M4)的栅极与第六电阻(R6)第一端连接，源极与地端连接，漏极与第二电感(L2)第一端连接；所述第一电感(L1)的第二端与第四电阻(R4)的第一端连接；所述第二电感(L2)的第二端与第五电阻(R5)的第一端连接；所述第二电容(C2)第二端与地端连接；所述第六电阻(R6)第二端与地端连接；所述第四电阻(R4)和第五电阻(R5)的第二端均与电源VDD连接。