[发明专利]一种图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法及装置

说明书

本发明公开了一种图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法及装置，可在图腾柱电路中的任一氮化镓器件处于关断状态时，确定流过所述氮化镓器件的电流；若确定流过所述氮化镓器件的电流为反向电流，则向所述氮化镓器件提供设定驱动电压；其中，所述设定驱动电压大于所述氮化镓器件的关断驱动电压、且小于所述氮化镓器件的开通驱动电压。相比于现有技术，在某一个已经处于关断状态的氮化镓器件上有反向电流流过时，可向该氮化镓器件提供大于所述氮化镓器件的关断驱动电压且小于所述氮化镓器件的开通驱动电压的设定驱动电压，从而既能够保证该氮化镓器件的可靠关断，也能降低该氮化镓器件的导通电压，避免了不必要的损耗。

技术领域

本发明涉及功率变换技术领域，尤其涉及一种图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法及装置。

背景技术

目前，电力电子领域对图腾柱电路中的半导体器件的研究和应用，已从第一、二代半导体器件逐渐转向第三代半导体器件，例如，从Si(硅)Mos(Metal OxideSemiconductor，金属氧化物半导体)器件逐步转向GaN(氮化镓)Mos器件等。现下对图腾柱电路中的GaN Mos器件的驱动方式绝大多数还沿袭着第一、二代半导体器件的驱动方式，即将预先设定的两个固定电压值作为GaN Mos器件的开通驱动电压和关断驱动电压，如将2.2V设置为开通驱动电压，将-7V设置为关断驱动电压。

对于Si Mos器件而言，在有反向电流(即电流从漏极流到源极)流过时，无论其本身是否有驱动电压开通，其自身具备的体二极管都会不受控的导通(二极管特性)，因而其导通电压(如Vds)可为有驱动电压开通时的通态压降，或者为无开通驱动电压时的体二极管压降，如，可为0.8V(有开通电压驱动)或者-1.5V(无开通电压驱动)等。

而对于GaN Mos器件而言，由于其本身没有体二极管，在有反向电流流过时，由于其导通电压通常会受其驱动电压的影响，例如，在反向电流为6A、且驱动电压为0V时，GaNMos器件的导通电压为-2.2V，在反向电流为6A、且驱动电压为-5V时，GaN Mos器件的导通电压为-7V。如果在有反向电流流过时，采用幅值过高的驱动电压(可为栅极电压低于源极电压的负电压)，就可能会使得在一些工作状态点上，GaN Mos器件会出现不必要的高压降，进而影响电路效率，带来能源浪费。

也就是说，现有的图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方式存在灵活性较低以及电路损耗相对较重的问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法及装置，用以解决现有的图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法所存在的灵活性较低以及电路损耗相对较重的问题。

本发明实施例提供了一种图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法，包括：

在图腾柱电路中的任一氮化镓器件处于关断状态时，确定流过所述氮化镓器件的电流；

若确定流过所述氮化镓器件的电流为反向电流，则向所述氮化镓器件提供设定驱动电压；其中，所述设定驱动电压大于所述氮化镓器件的关断驱动电压、且小于所述氮化镓器件的开通驱动电压。

具体地，在图腾柱电路中的任一氮化镓器件处于关断状态时，包括：

在所述图腾柱电路处于死区时间时。

具体地，向所述氮化镓器件提供设定驱动电压，包括：

确定所述图腾柱电路的工作状态点；所述工作状态点是指所述图腾柱电路的当前工作时刻；

基于所述工作状态点，向所述氮化镓器件提供与所述工作状态点相对应的设定驱动电压。

可选地，基于所述工作状态点，向所述氮化镓器件提供与所述工作状态点相对应的设定驱动电压，包括：

确定与所述工作状态点相对应的时间段；