[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成掺杂层；

在所述掺杂层和衬底上形成介质层；

在所述介质层中形成接触孔，所述接触孔贯穿所述掺杂层上的介质层；

在所述掺杂层表面沉积非晶半导体层；

形成接触孔之后，对所述非晶半导体层进行金属化处理，形成金属化物；

形成所述金属化物之后，在所述接触孔中形成插塞。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述接触孔之后，在所述掺杂层表面形成非晶半导体层。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述介质层之前，在所述掺杂层表面形成非晶半导体层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述非晶半导体层的材料为非晶硅、非晶锗、非晶硅锗或非晶碳化硅。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述非晶半导体层的厚度为1.8nm～2.2nm。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述非晶半导体层的工艺包括原子层沉积工艺或低温外延工艺。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述非晶半导体层的工艺包括低温外延工艺，所述低温外延工艺的工艺参数包括：反应气体包括硅烷和二氯硅烷，反应温度为450℃～600℃，气体压强为0.1torr～1torr。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述半导体非晶层之前，还包括：在所述掺杂层中形成第一凹槽，所述第一凹槽的深度大于所述非晶半导体层的厚度；所述非晶半导体层位于所述第一凹槽底部和侧壁表面。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度为9nm～11nm。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属化处理之前，还包括：对所述非晶半导体层表面进行预清洗处理。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述预清洗处理的工艺包括Siconi工艺。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属化处理的步骤包括：在所述非晶半导体层表面形成金属层；对所述金属层和非晶半导体层进行退火处理。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层还位于所述接触孔侧壁表面；所述退火处理之后，所述形成方法还包括：去除所述接触孔侧壁表面的金属层。

14.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理的温度为800℃～1000℃。

15.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为镍、钛、钴或金。

16.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括：基底和位于所述基底上的鳍部；所述掺杂层位于所述鳍部中，所述介质层覆盖所述鳍部侧壁和顶部；所述接触孔底部还暴露出所述掺杂层侧壁；所述金属化物还位于所述接触孔底部暴露出的掺杂层侧壁表面。

17.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：位于所述衬底上的栅极结构，所述掺杂层分别位于所述栅极结构两侧。