[发明专利]检查用晶片和检查用晶片的使用方法有效
申请号: | 201710939785.2 | 申请日: | 2017-10-11 |
公开(公告)号: | CN107958847B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 崔星一;伊贺勇人 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检查 晶片 使用方法 | ||
1.一种检查用晶片,其使用在如下的激光加工装置中,该激光加工装置从在正面上由分割预定线划分而形成有多个器件的晶片的背面对构成晶片的基板照射透过性波长的激光光线,使该激光光线会聚在基板的内部而沿着分割预定线在基板的内部形成改质层,该激光光线会聚于该检查用晶片,该检查用晶片对无助于形成该改质层的激光光线从该改质层对器件造成热影响的漏光进行检查,其中,
该检查用晶片包含:
检查用基板;
基底层,其按照规定的厚度形成在该检查用基板的整个正面上;以及
金属箔,其层叠在该基底层上,
该基底层形成为该金属箔能够只检测出对器件造成热影响的漏光的厚度。
2.一种检查用晶片的使用方法,是权利要求1所述的检查用晶片的使用方法,其中,该检查用晶片的使用方法具有如下的工序:
改质层形成工序,从该检查用晶片的背面对该检查用基板照射透过性波长的激光光线,使会聚在该检查用基板的内部的聚光点在该检查用晶片的面方向上呈直线移动而形成一条直线的改质层;
宽度测量工序,在该改质层形成工序之后,对该检查用晶片的该金属箔进行拍摄,对表现在该金属箔的正面上的产生了金属箔变形的最大宽度进行测量;以及
调整工序,对激光光线进行调整以使通过该宽度测量工序测量出的金属箔变形的最大宽度处于分割预定线的宽度之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造