[发明专利]改性金属硫族化合物的制备方法及发光器件有效
| 申请号： | 201710940057.3 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109599505B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 王宇;曹蔚然;李龙基 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 44237 深圳中一专利商标事务所 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硫族化合物 改性处理 改性金属 硫族元素 金属硫族化合物 发光器件 缺陷态 硫醇 制备 电荷传输效率 制备方法工艺 电荷释放 发光效率 化学吸附 缺陷消除 显示器件 制备过程 反应室 共价键 酸处理 氧物种 | ||
1.一种改性金属硫族化合物的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
提供金属硫族化合物，将所述金属硫族化合物置于反应室中；
通入非氧化性酸，对所述金属硫族化合物进行第一改性处理；
通入硫醇，对经第一改性处理的金属硫族化合物进行第二改性处理，得到改性金属硫族化合物；
其中，
所述通入非氧化性酸包括：向非氧化性酸溶液中通入惰性气体，并使惰性气体流向反应室中，向反应室中带入非氧化性酸；
所述通入硫醇包括：向硫醇溶液中通入惰性气体，并使惰性气体流向反应室中，向反应室中带入硫醇。
2.如权利要求1所述的改性金属硫族化合物的制备方法，其特征在于，在所述通入硫醇之前和/或之后，还包括通入惰性气体的步骤。
3.如权利要求1所述的改性金属硫族化合物的制备方法，其特征在于，反应室中的压强为1.1MPa-11MPa 。
4.如权利要求1所述的改性金属硫族化合物的制备方法，其特征在于，所述非氧化性酸包括氢卤酸和/或双磺酰亚胺类，所述双磺酰亚胺类的分子结构如下所示：
其中，R为烷烃、芳烃、取代烷烃或取代芳烃中的一种，R中的碳原子数小于八。
5.如权利要求1所述的改性金属硫族化合物的制备方法，其特征在于，所述硫醇分子链中碳原子数小于八。
6.如权利要求1-5任一项所述的改性金属硫族化合物的制备方法，其特征在于，所述金属硫族化合物的化学式为MS2，其中M为金属元素，S为硫族元素。
7.一种发光器件，包括空穴功能层，其特征在于，所述空穴功能层含有如权利要求1-6任一项所述制备方法制备的改性金属硫族化合物。
8.如权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述空穴功能层为空穴注入层或空穴传输层。
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