[发明专利]晶片层合体、其制备方法和用于晶片层合体的粘合剂组合物有效
申请号: | 201710940342.5 | 申请日: | 2017-10-11 |
公开(公告)号: | CN107919314B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 安田浩之;菅生道博;加藤英人 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C09J161/12;C09J183/06 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 杜丽利 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 合体 制备 方法 用于 粘合剂 组合 | ||
1.晶片层合体,其包括载体、在载体上形成的粘合剂层和以使具有电路表面的晶片的表面朝向粘合剂层的方式层合在粘合剂层上的晶片,
其中粘合剂层为混合物的粘合剂组合物的固化产物,该混合物包含树脂A和树脂B,树脂A含有由下式(1)表示的重复单元并且具有500至500,000的重均分子量,树脂B含有硅氧烷骨架:
其中R1至R3独立地为氢原子、羟基或选自具有1至20个碳原子的直链、支链或环状烷基、具有1至15个碳原子的直链、支链或环状烷氧基和芳基的具有1至20个碳原子的一价有机基团,其中R1至R3的至少一个为羟基,R4为氢原子或选自其中一部分氢原子任选地被烷基、芳基、醛基团、卤素原子、硝基、腈基团或羟基取代的烷基、苯基、萘基、蒽基和降冰片基的具有1至30个碳原子的一价有机基团。
2.根据权利要求1所述的晶片层合体,其中所述粘合剂层对于具有355nm的波长的光具有至多20%的透射率。
3.根据权利要求1所述的晶片层合体,其中所述树脂B为酚改性的有机硅树脂,其包括由以下式(2)表示的重复单元和任选的由以下式(3)表示的重复单元并且具有3,000至500,000的重均分子量:
其中R5至R8独立地为具有1至8个碳原子的一价烃基;m为1至100的整数;A和B为满足0A≤1,0≤B1和A+B=1的正数;Y为由以下式(4)表示的二价有机基团;
其中Z为单键或选自下式的二价有机基团,
R9和R10独立地为具有1至4个碳原子的直链、支链或环状烷基或为直链、支链或环状烷氧基;k为0、1或2。
4.根据权利要求1所述的晶片层合体,其中所述粘合剂组合物进一步包含交联剂。
5.根据权利要求1所述的晶片层合体,其中所述粘合剂组合物进一步包含有机溶剂。
6.用于制备根据权利要求1所述的晶片层合体的方法,所述方法包括:
(a)直接在载体上形成粘合剂层的步骤;
(b)在减压下将粘合剂层结合至晶片的形成电路的表面的步骤,和
(c)使粘合剂组合物的层经历热固化由此形成粘合剂层的步骤。
7.用于制备薄晶片的方法,其包括研磨或抛光通过权利要求6所述的方法获得的晶片层合体的步骤,在晶片的未形成电路的一面进行研磨或抛光。
8.粘合剂组合物,其是混合物,该混合物包含含有由以下式(1)表示的重复单元并且具有500至500,000的重均分子量的树脂和含有硅氧烷骨架的树脂:
其中R1至R3独立地为氢原子、羟基或选自具有1至20个碳原子的直链、支链或环状烷基、具有1至15个碳原子的直链、支链或环状烷氧基和芳基的具有1至20个碳原子的一价有机基团,其中R1至R3的至少一个为羟基,R4为氢原子或选自其中一部分氢原子任选地被烷基、芳基、醛基团、卤素原子、硝基、腈基团或羟基取代的烷基、苯基、萘基、蒽基和降冰片基的具有1至30个碳原子的一价有机基团。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造