[发明专利]硅芯线痕平磨修整装置及其修整工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种硅芯线痕平磨修整装置及其修整工艺，属于多晶硅生产技术领域。

背景技术

目前，目前国内生产多晶硅的工艺大部分都是常规三氯氢硅氢还原法，即改良西门子法，改良西门子法或其他类似方法生产大直径多晶硅的主要设备是多晶硅还原炉，多晶硅还原炉在细长的硅芯上通上电源，使硅芯加热发红，直至表面温度达到1100摄氏度，通入高纯的三氯氢硅和氢气，使其在高温下发生氢还原反应，使三氯氢硅中的硅分子堆积在硅芯上，使其的直径不断地增大，通常，硅芯的直径在7-10毫米，可以是圆形也可以是方型，或是其他形状，最终通过氢还原反应使直径不断地增大到120-200毫米，生产出高纯太阳能级6N或电子级11N的多晶硅器均无法适用于厂内方硅芯的测试。

目前硅芯的制备方法有二种，传统的方法是用CZ法（区熔提拉法），即把直径在20-50毫米的硅棒在充满惰性气体的真空炉膛内用高频感应加热，使其顶部局部熔化，从上部放入1根直径在5-10毫米的籽晶，然后慢慢向上提拉，使其成为直径在7-10毫米，长度在1900-3000毫米之间的细长硅芯，其缺点是提拉速度慢，一般为8-12毫米/分钟，拉制1根2米的硅芯需要4小时，生产效率低，电力消耗大，设备投资大。

另一种是用金刚石工具切割法，美国Diamond Wire Technology公司研制出采用金刚石线的数控多晶硅细长硅芯多线切割机床，用于硅芯的制备。通过利用电镀上金刚石微粒的细钢丝线在被加工工件上高速地往复运动或单向移动，将硅棒压在该机床用金刚石线交叉组成的方形线网上，从而将该硅棒切割成细长的硅芯。其优点十分明显，10-12小时可以切割出200根左右2米长的7X7或8X8毫米的方形硅芯，电力消耗小，加工效率高。

目前通过金刚石工具切割法制得的硅芯，由于在切割过程中无法保证硅棒与钢丝线完全垂直，并且切割过程中钢丝线与硅棒之间不可避免存在一定的震动与错位，因此切割得到的硅芯表面存在切割线痕，会对产品的质量产生影响，严重的情况甚至会导致产品报废。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种硅芯线痕平磨修整装置及其修整工艺，它能够对硅芯表面因切割产生的线痕进行有效修整，大大提高了产品的质量。

本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种硅芯线痕平磨修整装置，它包括工作平台，所述工作平台上左右平行设置有两个限位导条，两个限位导条之间形成平磨轨道，所述工作平台一侧设置有固定座，所述固定座上沿竖直方向设置有滑轨，所述滑轨上设置有滑座，所述滑座上设置有电机，所述电机输出端设置有平磨砂轮，所述平磨砂轮位于平磨轨道下方，所述平磨砂轮上端略高于平磨轨道；

所述工作平台一侧还设置有固定支架，所述固定支架上设置有连接板，所述连接板上设置有前后两个压紧装置，所述平磨砂轮位于前后两个压紧装置之间，所述压紧装置位于平磨轨道上方；

所述压紧装置包括压辊座，所述压辊座上沿左右方向设置压辊，所述压辊座顶部设置有安装筒体，所述安装筒体内设置有弹性元件，所述安装筒体顶部设置有调节螺栓，所述调节螺栓下端与弹性元件上端相连接，所述弹性元件下端与压辊相连接。

所述压辊座上沿竖直方向开设有腰型孔，所述压辊两端插装于腰型孔内。

所述压辊两外端位置设置有挡块。

所述固定座上沿竖直方向设置有调节螺杆，所述调节螺杆下端与滑座相连接，所述调节螺杆上端设置有调节手柄。

所述调节螺杆一侧设置有固定板，所述固定板上沿竖直方向设置有限位螺栓，所述限位螺栓下端与滑座顶部相抵。

所述工作平台前侧设置有挡板，所述挡板在平磨轨道的位置设置有出料口。

一种硅芯线痕平磨修整装置的修整工艺，所述工艺包括以下步骤：

步骤一、取一硅芯线痕平磨修整装置，所述装置包括工作平台，所述工作平台上左右平行设置有两个限位导条，两个限位导条之间形成平磨轨道，所述工作平台一侧设置有固定座，所述固定座上沿竖直方向设置有滑轨，所述滑轨上设置有滑座，所述滑座上设置有电机，所述电机输出端设置有平磨砂轮，所述平磨砂轮位于平磨轨道下方，所述平磨砂轮上端略高于平磨轨道；

所述工作平台一侧还设置有固定支架，所述固定支架上设置有连接板，所述连接板上设置有前后两个压紧装置，所述平磨砂轮位于前后两个压紧装置之间，所述压紧装置位于平磨轨道上方；