[发明专利]进行动态资源管理的方法、记忆装置及记忆装置的控制器

说明书

本发明公开了一种用来于一记忆装置中进行动态资源管理的方法以及所述记忆装置及其控制器。所述方法可包括：分别存储涉及多个主装置指令的多组实体区域描述符信息，且将分别对应于所述多组实体区域描述符信息的多个中间实体区域描述符存储进入一第一队列；从所述第一队列取得所述多个中间实体区域描述符中的一中间实体区域描述符，且将所述中间实体区域描述符存储进入一第二队列；依据所述第二队列中的所述中间实体区域描述符，传送一指令至所述非挥发性存储器，以存取资料；以及当存取成功，将所述中间实体区域描述符从所述第二队列释放至所述第一队列。通过本发明的动态资源管理，可避免记忆装置中用来进行存取管理的硬件资源不足的问题。

技术领域

本发明涉及闪存(Flash memory)的存取(access)，尤其涉及一种用来于一记忆装置中进行动态资源管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器。

背景技术

近年来由于存储器的技术不断地发展，各种可携式记忆装置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、或XD标准的记忆卡)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些可携式记忆装置中的存储器的访问控制遂成为相当热门的议题。

以常用的NAND型闪存而言，其主要可区分为单阶细胞(single level cell,SLC)与多阶细胞(multiple level cell,MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞(memory cell)的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管的存储能力则被充分利用，采用较高的电压来驱动，以通过不同级别的电压在一个晶体管中记录至少两组位信息(诸如00、01、11、10)；理论上，多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的至少两倍，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。

相较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的可携式记忆装置竞相采用的主流。然而，多阶细胞闪存的不稳定性所导致的问题也一一浮现。为了确保可携式记忆装置对闪存的访问控制能符合相关规范，闪存的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理数据的存取。

依据相关技术，有了这些管理机制的记忆装置还是有不足之处。举例来说，因应的某些类型的读取(read)运作，记忆装置中用来进行存取管理的硬件资源可能不敷使用而导致整体效能变差。因此，需要一种新颖的方法及存储器存取架构，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下达到记忆装置的优化(optimal)效能。

发明内容

本发明的一目的在于公开一种用来于一记忆装置中进行动态资源管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以解决上述问题。

本发明的另一目的在于公开一种用来于一记忆装置中进行动态资源管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下达到记忆装置的优化(optimal)效能。