[发明专利]有关有机掩模的用于选择性地蚀刻氧化硅的方法

权利要求书

1.一种用于利用具有通孔塞的有机平坦化层选择性地蚀刻含氧化硅的层中的沟槽的方法，其包括：

将所述含氧化硅的层放置在处理室中；

使用多个工艺循环处理所述氧化硅层，其中每个工艺循环包括：

沉积阶段，其包括：

提供沉积阶段气体的流到所述处理室中，所述沉积阶段气体包括具有氟碳比的含碳氟化合物或氢氟碳化合物的气体；

提供具有至少60MHz的RF频率的RF功率，其将所述沉积阶段气体形成为等离子体；以及

停止所述沉积阶段；以及

蚀刻阶段，其包括：

提供蚀刻阶段气体的流到所述处理室中，所述蚀刻阶段气体包括氟碳比高于所述沉积阶段气体的氟碳比的含碳氟化合物或氢氟碳化合物的气体；

提供具有至少60MHz的RF频率的脉冲RF功率，其将所述蚀刻阶段气体形成为等离子体，其中，在所述蚀刻阶段期间提供的所述脉冲RF功率大于在所述沉积阶段期间提供的所述RF功率；以及

停止所述蚀刻阶段。

2.根据权利要求1所述的方法，其中每个蚀刻阶段持续少于10秒的时间段，并且其中每个沉积阶段持续少于10秒的时间段。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述蚀刻阶段气体包括CF₄、NF₃、CHF₃、O₂、Ar或N₂中的至少一种，并且其中所述沉积阶段气体包括C₄F₆、C₄F₈、CH₂F₂、或CO中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述有机平坦化层具有小于100nm的厚度。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述有机平坦化层在位于EUV掩模下的SiARC层下。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在所述蚀刻阶段期间的所述脉冲RF功率更大，因为在所述蚀刻阶段期间具有至少60MHz的频率的脉冲RF功率大于在所述沉积阶段期间具有至少60MHz的RF频率的恒定RF功率。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述沉积阶段气体的氟碳比小于1:1，并且所述蚀刻阶段气体的氟碳比大于1:1。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述沉积阶段期间的RF功率是恒定的。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻阶段气体包括CF₄、NF₃、CHF₃、O₂、Ar或N₂中的至少一种，并且其中所述沉积阶段气体包括C₄F₆，C₄F₈、CH₂F₂、或CO中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机平坦化层具有小于100nm的厚度。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机平坦化层在位于EUV掩模下的SiARC层下。

12.根据权利要求1所述的方法，其中在所述蚀刻阶段期间的所述脉冲RF功率更大，因为在所述蚀刻阶段期间具有至少60MHz的频率的脉冲RF功率大于在所述沉积阶段期间具有至少60MHz的RF频率的恒定RF功率。

13.根据权利要求1所述的方法，其中在小于60Hz的频率下不提供RF功率。

14.根据权利要求1所述的方法，其中在所述蚀刻阶段期间提供额外的偏置RF功率。