[发明专利]用于光生阴极保护的ZnIn

权利要求书

1.一种用于光生阴极保护的ZnIn₂S₄/TiO₂复合膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1）TiO₂纳米管阵列膜的制备

以抛光、清洗后的钛基体为阳极，以铂为对电极，在NH₄F的乙二醇水溶液中进行阳极氧化后，煅烧，即在钛基体表面制得TiO₂纳米管阵列膜；

所述NH₄F的乙二醇水溶液中，NH₄F、水和乙二醇的质量比为2：20 - 30：400；

煅烧的温度为450 -550℃，煅烧的时间为1-2h；

2）ZnIn₂S₄/TiO₂纳米管复合膜的制备

将Zn(NO₃)₂·6H₂O，InCl₃·4H₂O和C₂H₅NS溶于水中得到混合溶液，将步骤1）中制备的TiO₂纳米管阵列膜浸入混合溶液中，封装后煅烧，得到ZnIn₂S₄/TiO₂纳米管复合膜；

步骤1）中的抛光使用的抛光剂为NH₄F、 H₂O、HNO₃和H₂O₂的混合溶液，NH₄F的质量为0.4-0.5 g，H₂O、HNO₃和H₂O₂的用量分别为2.0-3.0 ml，5.5-6.5 ml，5.5-6.5 ml；

步骤1）中，所述清洗步骤为依次用去离子水、丙酮和无水乙醇进行超声清洗；

步骤1）中，所述阳极氧化的电压为20-30 V，阳极氧化的时间为2-6 h；

步骤1）中，煅烧步骤中的升温速率为10 ℃/min。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤2）中，所述混合溶液中Zn(NO₃)₂·6H₂O，InCl₃·4H₂O和C₂H₅NS的物质的量比为1：2：4，其中，Zn(NO₃)₂·6H₂O的物质的量为1.25-5 mmol。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤2）中，所述煅烧的温度150 -180℃，煅烧时间为10-12 h。

4.权利要求1-3任一所述制备方法制备得到的ZnIn₂S₄/TiO₂复合膜。

5.权利要求4所述ZnIn₂S₄/TiO₂复合膜作为光阳极在光生阴极保护中的应用。

6.权利要求4所述ZnIn₂S₄/TiO₂复合膜作为光阳极在金属材料防腐方面的应用。

7.权利要求6所述ZnIn₂S₄/TiO₂复合膜作为光阳极在钢铁材料防腐方面的应用。