[发明专利]层叠芯片的制造方法

说明书

提供层叠芯片的制造方法，能够制造出与规定的厚度一致的层叠芯片。一种层叠芯片的制造方法，该层叠芯片由多个芯片层叠而成，其中，该层叠芯片的制造方法包含如下步骤：芯片形成步骤，对晶片的背面进行磨削而使晶片变薄，将晶片分割成多个芯片；测量步骤，对通过芯片形成步骤而得到的各芯片的厚度进行测量；以及芯片层叠步骤，根据通过测量步骤测量出的各芯片的厚度来选择要层叠的多个芯片而进行层叠，以便在层叠了多个芯片时成为规定的厚度。

技术领域

本发明涉及由多个芯片层叠而成的层叠芯片的制造方法。

背景技术

为了实现半导体装置的进一步小型化、高集成化，实用化了在厚度方向上重叠多个半导体芯片而利用贯通电极(TSV：Through Silicon Via：硅通孔)等进行连接的三维安装技术。在该技术中，为了抑制最终制造出的层叠芯片的厚度而使用通过磨削等方法变薄了的半导体芯片。

但是，当在构成层叠芯片的半导体芯片的厚度上存在偏差时，很难形成与规定的厚度一致的层叠芯片。因此，提出了如下方法：在通过磨削等方法使作为半导体芯片的晶片变薄之前，对正面侧的树脂层进行平坦化而抑制因磨削导致的厚度的偏差(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2008-182015号公报

但是，在上述的方法中，由于需要区别于磨削装置而准备刀具切削用的切削装置(刀具切削装置)，所以制造成本容易变高。并且，利用该方法也无法完全地抑制厚度的偏差。

发明内容

本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于，提供层叠芯片的制造方法，能够制造出与规定的厚度一致的层叠芯片。

根据本发明的一个方式，提供层叠芯片的制造方法，所述层叠芯片由多个芯片层叠而成，该层叠芯片的制造方法的特征在于，具有如下的步骤：芯片形成步骤，对晶片的背面进行磨削而使晶片变薄，将晶片分割成多个芯片；测量步骤，对通过该芯片形成步骤而得到的各芯片的厚度进行测量；以及芯片层叠步骤，根据通过该测量步骤测量出的各芯片的厚度来选择要层叠的多个芯片而进行层叠，以便在层叠了多个芯片时成为规定的厚度。

在本发明的一个方式中，在该芯片形成步骤中，通过在沿着交叉的多条分割预定线在晶片中形成了分割用的构造之后对晶片的背面进行磨削，从而使晶片变薄而将该晶片分割成多个芯片。

在本发明的一个方式的层叠芯片的制造方法中，根据各芯片的厚度来选择要层叠的多个芯片而进行层叠，以便在层叠了多个芯片时成为规定的厚度，因此能够制造出与规定的厚度一致的层叠芯片。

附图说明

图1是示意性地示出晶片的结构例的立体图。

图2的(A)是示意性地示出在芯片形成步骤中在晶片的正面侧形成分割用的槽的情形的局部剖视侧视图，图2的(B)是示意性地示出在芯片形成步骤中晶片的背面被磨削的情形的局部剖视侧视图。

图3的(A)是示意性地示出被分割成多个芯片的晶片的立体图，图3的(B)是示意性地示出在测量步骤中对各芯片的厚度进行测量的情形的局部剖视侧视图。

图4的(A)是示意性地示出在芯片层叠步骤中所选择出的多个芯片的侧视图，图4的(B)是示意性地示出在芯片层叠步骤中层叠了多个芯片的情形的侧视图。

标号说明

11：晶片；11a：正面；11b：背面；13：分割预定线(间隔道)；15：器件；17：分割用的槽(分割用的构造)；19、19a、19b、19c：芯片；21：保护部件；21a：正面；21b：背面；31：层叠芯片；2：切削装置；4：卡盘工作台；4a：保持面；6：切削单元；8：主轴；10：切削刀具；22：磨削装置；24：卡盘工作台；24a：保持面；26：磨削单元；28：主轴；30：安装座；32：磨削磨轮；34：磨轮基台；36：磨削磨具；38：厚度测量器。

具体实施方式