[发明专利]低温多晶硅薄膜及晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜的制造方法，包括：

在一衬底上形成一缓冲层，并粗糙化所述缓冲层，以在所述缓冲层的表面上形成多个孔隙，其中在所述衬底上形成所述缓冲层的步骤包括：在所述衬底上形成一第一子缓冲层；在所述第一子缓冲层上形成一第二子缓冲层，所述第二子缓冲层的细致度低于所述第一子缓冲层，且所述第一子缓冲层是一扩散障壁层；

在所述缓冲层上形成一硅层；

提供一光罩；

从所述光罩移转一图案至所述硅层，所述图案留有再结晶成长空间，其中在所述硅层上转移的所述图案的一部分作为信道区，所述再结晶成长空间位在所述部分的侧边，且所述再结晶成长空间曝露出所述缓冲层；

粗糙化所述硅层的表面，以形成不平整表面作为另一再结晶成长空间，其中粗糙化所述硅层的表面的步骤是蚀刻所述硅层的表面；以及

对所述硅层进行退火以形成一多晶硅层，并使所述多晶硅层的部分硅材料形成至再结晶成长空间，其中所述多晶硅层的部分硅材料填入至所述孔隙。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中所述退火是雷射退火。

3.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括：

如权利要求1至2其中任一项所述制造方法的步骤；

在所述多晶硅层上形成一闸极绝缘层；以及

在所述闸极绝缘层上形成一闸极；

形成一源电极及一漏电极，所述源电极及所述漏电极电性连接所述多晶硅层。