[发明专利]一种红外探测器芯片电极的制造方法

权利要求书

1.一种红外探测器芯片电极的制造方法，其特征在于，包括：

在红外探测器芯片上涂光刻胶，以生成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行图形曝光；

按照预设固胶显影方法，在曝光处理后的所述红外探测器芯片上生长三维胶形；

在生长有三维胶形的所述红外探测器芯片上溅射合金；

对溅射有合金的所述红外探测器芯片进行金属刻蚀处理，得到所述红外探测器芯片的三维合金电极。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：对金属刻蚀处理后的所述红外探测器芯片进行去除所述光刻胶的处理。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述对金属刻蚀处理后的所述红外探测器芯片进行去除所述光刻胶的处理，包括：

将所述红外探测器芯片浸入去离子水中，向所述去离子水中发送预定频率的超声波；

在所述红外探测器芯片全部浸润在所述去离子水中后，将所述红外探测器芯片放置于预定旋转装置中，采用预定浓度的丙酮溶液去除所述光刻胶。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对所述光刻胶层进行图形曝光，包括：

采用接触式光刻设备，以紫外波段汞灯光源对所述光刻胶层进行图形曝光。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在生长有三维胶形的所述红外探测器芯片上溅射合金，包括：

按照离子溅射方法，采用氩离子源生成所述合金电极原形。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述合金为铬金合金。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对溅射有合金的所述红外探测器芯片进行金属刻蚀处理，得到所述红外探测器芯片的三维合金电极，包括：

采用ICP电感耦合等离子体刻蚀设备，对溅射有合金的所述红外探测器芯片进行金属刻蚀，得到所述红外探测器芯片的三维合金电极。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，包括：

所述ICP电感耦合等离子体刻蚀设备采用的预定离子刻蚀功率取值范围是100瓦特至200瓦特，采用的预定射频功率的取值范围是40瓦特至80瓦特，采用的工艺气体为预定体积比的氩气氮气。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述光刻胶为混合光刻胶。