[发明专利]半导体结构

说明书

本申请是2014年09月09日提交的，申请号为201410454274.8的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明有关于半导体结构，特别是有关于一种半导体结构的被动元件(passive device)的保护层。

背景技术

对于传统的覆晶封装，电感器的一个标准是低电阻，以获得高品质因数(quality factor)。电感器的品质因数是指定频率下的感抗(inductive reactance)与电阻的比值，并可作为电感器效率的估量。电感器的品质因数越高，就越接近理想的、无损的电感器的运转情况。

传统封装的制造过程通常会使用镍(Ni)/金(Au)层作为电感器的保护层。镍/金保护层能够保护电感器以不被氧化。然而，镍/金保护层可能导致电感器的表面效应(skin effect)。并且镍/金保护层通常具有较厚的厚度。电感器表面的厚的镍/金保护层会降低电感器的质量因数以及恶化电阻。

因此，有必要寻求一种新的具有较高质量因数的电感器。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种半导体结构。

本发明实施例提供了一种半导体结构，包括：基底；第一钝化层，设置于所述基底上；导电垫，设置于所述第一钝化层上；第二钝化层，设置于所述第一钝化层上；导电结构，设置于所述导电垫上；被动元件，设置于所述导电垫上，其中所述被动元件具有位于所述第二钝化层上的第一部分以及穿过所述第二钝化层的第二部分；可焊性保护膜，覆盖所述被动元件的所述第一部分；第一凸块下金属层，覆盖所述被动元件的所述第二部分；以及第二凸块下金属层，覆盖所述导电结构的一部分；其中，所述第一凸块下金属层与所述有机可焊性保护膜一起将所述被动元件包围起来；其中，所述第一凸块下金属层延伸至所述第二钝化层的上表面，并且所述有机可焊性保护膜不与所述第二钝化层相接触。

其中，所述被动元件包括变压器元件、电感器、转换器、布线或天线。

其中，所述第二钝化层具有穿过所述第二钝化层的第一开口，所述导电垫从所述第一开口暴露出来。

其中，所述第一凸块下金属层设置于所述第一钝化层和所述第二钝化层上，其中所述第一凸块下金属层分布在所述第一开口的侧壁并覆盖从所述第一开口暴露出来的所述导电垫。

其中，所述被动元件设置于所述第一凸块下金属层上，通过所述第一凸块下金属层电连接至所述导电垫。

其中，所述第二钝化层具有穿过所述第二钝化层的第二开口，所述导电垫从所述第二开口暴露出来。

其中，所述第二凸块下金属层分布在所述第二开口的侧壁并覆盖从所述第二开口暴露出来的所述导电垫，并且所述第二凸块下金属层延伸至所述第二钝化层的上表面；其中，所述导电结构设置于所述第二凸块下金属层上，并且通过所述第二凸块下金属层电性连接至所述导电垫。

其中，所述可焊性保护膜仅与所述被动元件的所述第一部分相接触，所述第一凸块下金属层与所述被动元件的所述第二部分相接触。

本发明实施例提供了一种半导体结构，包括：基底；第一钝化层，设置于所述基底上；导电垫，设置于所述第一钝化层上；第二钝化层，设置于所述第一钝化层上；被动元件，设置于所述导电垫上，其中所述被动元件具有位于所述第二钝化层上的第一部分以及穿过所述第二钝化层的第二部分；可焊性保护膜，覆盖所述被动元件的所述第一部分；以及凸块下金属层，覆盖所述被动元件的所述第二部分；其中，所述凸块下金属层与所述有机可焊性保护膜一起将所述被动元件包围起来，并且所述有机可焊性保护膜不与所述第二钝化层相接触。

本发明实施例提供了一种半导体结构，包括：基底；导电垫，设置于所述基底上；被动元件，设置于所述导电垫上，其中所述被动元件具有第一部分和第二部分，且所述第一部分具有顶面和侧面；以及凸块下金属层和可焊性保护膜，其中所述凸块下金属层和所述可焊性保护膜一起将所述被动元件包围起来，且所述可焊性保护膜覆盖所述第一部分的顶面和侧面，所述凸块下金属层覆盖所述第二部分；其中，所述被动元件通过所述凸块下金属层电性连接至所述导电垫；其中，所述可焊性保护膜不接触任何钝化层。

本发明所提供的半导体结构，其中的有机可焊性保护膜可以防止表面效应的发生，此外，能够减小电阻并具有较高的品质因数。

对于已经阅读后续由各附图及内容所显示的较佳实施方式的本领域的技术人员来说，本发明的各目的是明显的。

附图说明

图1-5为制造本发明的半导体结构的一实施例的剖视图。