[发明专利]一种基于0.13um SiGeBiCMOS工艺的三次谐波混频器

权利要求书

1.一种基于0.13um SiGeBiCMOS工艺的三次谐波混频器，其特征在于：包括倍频电路和与倍频电路连接的混频电路；

所述倍频电路包括BJT1、BJT2和BJT3；所述BJT1的基极为倍频电路的输入端，BJT1的集电极与BJT2的基极电连接；所述BJT2的集电极与BJT3的基极电连接；

所述混频电路包括BALUN、RF BALUN和Gilbert混频单元；所述Gilbert混频单元包括共发射极的BJT4和BJT5以及BJT6和BJT7；所述BJT4和BJT5的发射极与BJT8的集电极连接；所述BJT6和BJT7的发射极与BJT9的集电极连接；所述BALUN的一输出端分别与BJT4和BJT7的基极电连接，其另一输出端分别与BJT5和BJT6的基极电连接；所述RF BALUN的输出端分别与BJT8和BJT9的基极电连接；

所述BJT1、BJT2和BJT3的发射极均接地；所述BJT1、BJT2和BJT3的集电极均与直流偏置电路连接；

所述直流偏置电路包括电源Vdd和与电源Vdd电连接的匹配电路；

所述倍频电路中BJT3的集电极与混频电路中的BALUN连接；

所述RF BALUN的两个输出端分别与电源Vdd连接；

所述BALUN和RF BALUN均为可实现上下层金属耦合的宽带耦合巴伦；

信号进入倍频电路中，通过BJT1、BJT2和BJT3，实现本振频率的三倍频与本振功率的放大，直流偏置电路实现BJT1、BJT2和BJT3的输入输出匹配，本振频率的功率驱动后级Gilbert混频单元的开关管；

信号进入混频电路，经过处于W波段的BALUN，变为两路差分信号并进入BJT4、BJT5、BJT6和BJT7中；射频信号从处于W波段的RF BALUN进入，分成两路差分信号，进入BJT8和BJT9中；BJT4、BJT5、BJT6和BJT7，与BJT8和BJT9形成双平衡混频，使得射频频率向下的频谱搬移，实现射频频率与本振频率的频谱混频，得到中频频率。