[发明专利]用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列基板和X射线探测器

权利要求书

1.一种用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

栅极布线，形成在该基板上，包括栅极线和电连接到该栅极线的栅电极；

栅极绝缘层，覆盖该栅极布线；

有源层，形成在该栅绝缘层上，且与该栅电极交叠；

源电极和漏电极，形成于该有源层上，该源电极与该漏电极相互间隔开；

第一绝缘层，形成在该源电极和该漏电极上，且该第一绝缘层具有第一开孔，部分该源电极自该第一开孔中暴露出；

光电二极管，形成在像素区域中，并且包括电连接到该源电极的下部电极、形成在该下部电极上的光电导层、以及形成在该光电导层上的上部电极，该光电导层使用外部提供的光来产生电子和空穴；

第二绝缘层，形成在该光电二极管上，具有接触孔及第二开孔，该接触孔贯穿该第二绝缘层及该第一绝缘层并使得部分该漏电极自该第一接触孔中暴露出，且该光电二极管的部分该上部电极自该第二开孔暴露出；

数据线，形成在该第二绝缘层上，并自该接触孔电连接该漏电极；

遮光金属层，形成于该第二绝缘层上，且该遮光金属层在该基板上垂直投影遮盖该有源层在该基板上的垂直投影；

透明电极层，形成于该第二绝缘层上，该透明电极层电连接自该第二开孔中暴露中的该上部电极，且该透明电极层电连接于该遮光金属层；以及，

第三绝缘层，覆盖该数据线、该遮光金属层及该透明电极层。

2.如权利要求1所述的用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该数据线与该遮光金属层于不同的制程步骤中形成。

3.如权利要求1所述的用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该遮光金属层包括低熔点合金。

4.如权利要求3所述的用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该低熔点合金的熔点低于232℃。

5.如权利要求4所述的用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该低熔点合金包括铋、锡、铅及铟的至少其中之一。

6.如权利要求1所述的用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于,该透明电极层的材料为选自金属导电氧化物、金属网格线或者导电石墨烯。

7.如权利要求1所述的用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该透明电极层为公共电极层。

8.如权利要求1所述的用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该有源层为非晶硅薄膜层、低温多晶硅薄膜层、非晶硅薄膜层与氧化铟镓锡金属薄膜层的层叠体或者有机半导体层。

9.一种X射线探测器，其特征在于，包括：

闪烁体，用于将X射线转换为可见光；以及，

如权利要求1-8任意一项所述的用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列基板，用于识别可见光，并形成数据信号。

10.如权利要求9所述的X射线探测器，其特征在于，闪烁体由选自掺铊碘化铯、掺铽硫氧化钆、碲化镉和高纯硅中的至少一种组成。