[发明专利]一种低温烧结的MLCC用陶瓷介质材料及其制备方法

权利要求书

1.一种低温烧结的MLCC用陶瓷介质材料，其特征在于，包括质量分数为95～99％的主晶相成分和质量分数为1～5％的改性添加物，所述主晶相成分包括Sr、Si掺杂的BaTiO₃，所述改性添加物选自ZrO₂、MnCO₃、MgO、Y₂O₃、ZnO、Yb₂O₃、Er₂O₃、La₂O₃、SiO₂中的两者种或两种以上。

2.根据权利要求1所述的低温烧结的MLCC用陶瓷介质材料，其特征在于，所述改性添加物中，各组分在所述陶瓷介质材料中的质量分数如下：ZrO₂为0.0～0.5％；MnCO₃为0～1.5％；MgO为0～2.0％；Y₂O₃为0～1.5％；ZnO为0.0～0.5％；Yb₂O₃为0～0.4％；Er₂O₃为0～0.2％；La₂O₃为0～0.2％；SiO₂为0.3～0.6％。

3.根据权利要求1所述的低温烧结的MLCC用陶瓷介质材料，其特征在于，所述改性添加物中，各组分在所述陶瓷介质材料中的质量分数如下：ZrO₂为0.2～0.5％；MnCO₃为0.5～1.5％；MgO为0.8～2.0％；Y₂O₃为0.5～1.5％；ZnO为0.2～0.5％；Yb₂O₃为0～0.4％；Er₂O₃为0～0.2％；La₂O₃为0～0.2％；SiO₂为0.3～0.6％。

4.根据权利要求1所述的低温烧结的MLCC用陶瓷介质材料，其特征在于，所述主晶相成分为(Ba_1-x-ySr_xSi_y)TiO₃，x＝0.0016～0.002，y＝0.003～0.0034。

5.根据权利要求1所述的低温烧结的MLCC用陶瓷介质材料，其特征在于，所述陶瓷介质材料的介电常数介于3400～3800，容量变化率为±15％，室温介电损耗≤2.5％。

6.根据权利要求1所述的低温烧结的MLCC用陶瓷介质材料，其特性在于，所述陶瓷介质材料在还原气氛中1220～1260℃条件下烧结制得多层陶瓷电容器。

7.根据权利要求6所述的低温烧结的MLCC用陶瓷介质材料，其特性在于，所述多层陶瓷电容器的介电常数为3400～3800，符合X7R温度特性。

8.一种如权利要求1～7任意一项所述的低温烧结的MLCC用陶瓷介质材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，将碳酸钡、硅的氧化物或碳酸盐、锶的氧化物或碳酸盐、二氧化钛进行湿法球磨，然后在空气气氛下煅烧2～4h，煅烧温度为1100℃～1150℃，得到所述主晶相成分；

S2，将所述主晶相成分和所述改性添加物进行湿法球磨，干燥得到所述陶瓷介质材料。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，按重量比1:1～2将物料和水混合进行湿法球磨。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，按重量比1:0.6～1将物料和水混合进行湿法球磨。