[发明专利]显示装置

说明书

本发明提供一种显示装置包括驱动基板、多个微型发光元件以及共电极。微型发光元件分散地配置于驱动基板上，且每一微型发光元件包括磊晶结构层及配置于磊晶结构层相对两侧上的第一型电极与第二型电极。共电极配置于驱动基板上，且位于微型发光元件的第二型电极之间。共电极暴露出每一第二型电极的上表面。本发明提供的显示装置可有效地提升微型发光元件的正向出光效率与增加显示装置的横向导电率。

技术领域

本发明涉及一种显示装置，尤其涉及一种以微型发光二极管作为显示像素的显示装置。

背景技术

一般而言，显示面板的共电极与微型发光二极管皆配置于显示区域中，其中微型发光二极管位于每一像素结构区且电性连接至共电极，借着共电极与微型发光二极管之间的驱动控制以显示图像。目前在微型发光二极管的制作上，大都会选择介于4.5eV至5.3eV的高功函数、性质稳定且高光穿透率的氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)金属氧化物作为电极材料。目前的共电极也采用相同的材料，即氧化铟锡(ITO)来制作，且共电极会完全覆盖于微型发光二极管的正向出光面上且需具有一定厚度才能有良好的导电率。然而，由于驱动基板上的线路与元件不耐高温，因此当采用氧化铟锡作为共电极时，无法通过高温的退火程序来兼具良好的光穿透率与导电率，而导致微型发光二极管的出光效率会因为透光率低且导电率不佳的厚共电极覆盖在正向出光面上而降低，进而影响显示面板的显示品质。此外，氧化铟锡材质相较于金属材料较不具延展性与韧性，易增加显示面板共电极制程的难度，因而影响显示面板的制程良率与导电性。

发明内容

本发明提供一种显示装置，其可有效地提升微型发光元件的正向出光效率与增加显示装置的横向导电率。

本发明的显示装置，其包括驱动基板、多个微型发光元件以及共电极。微型发光元件分散地配置于驱动基板上，且每一微型发光元件包括磊晶结构层以及配置于磊晶结构层上的第一型电极与第二型电极。共电极配置于驱动基板上，且位于微型发光元件的第二型电极之间，其中共电极暴露出每一第二型电极的上表面。

在本发明的一实施例中，上述的共电极至少直接接触每一微型发光元件的第二电极的侧面。

在本发明的一实施例中，上述的共电极与每一第二型电极的侧面的接触面积和每一第二型电极的侧面的面积的比值介于0.3至1。

在本发明的一实施例中，上述的显示装置还包括隔离层。隔离层配置于驱动基板上，且至少覆盖每一微型发光元件的第一型电极，而共电极位于隔离层上。

在本发明的一实施例中，上述的显示装置还包括多个绝缘结构层。每一绝缘结构层至少包覆每一微型发光元件的磊晶结构层，且位于磊晶结构层与隔离层之间。

在本发明的一实施例中，上述的显示装置还包括多个绝缘结构层。每一绝缘结构层至少包覆微型发光元件的磊晶结构层，且位于磊晶结构层与共电极之间。

在本发明的一实施例中，上述的共电极的材料包括金属或导电高分子材料。

在本发明的一实施例中，上述的金属包括银、金、铬、铜、铂、锡、镍、钛、铝或是上述金属的合金。

在本发明的一实施例中，上述的导电高分子材料包括聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺或聚二氧基噻吩：聚苯乙烯磺酸及其混合物。

在本发明的一实施例中，上述的共电极的透光率小于每一微型发光元件的第二型电极的透光率。

在本发明的一实施例中，上述的共电极的顶面与第二型电极的上表面切齐。

在本发明的一实施例中，上述的共电极的厚度小于等于第二型电极的厚度。

在本发明的一实施例中，上述的共电极在垂直剖面上具有第一垂直高度，而每一发光元件在垂直剖面上具有第二垂直高度，且第一垂直高度与第二垂直高度的比值介于0.1至1。