[发明专利]一种热沉绝缘型半导体激光器封装结构及叠阵在审

专利信息
申请号: 201710951316.2 申请日: 2017-10-13
公开(公告)号: CN107565376A 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 贾诗吟;段磊;陈力;王博学;张宏友;刘兴胜 申请(专利权)人: 西安炬光科技股份有限公司
主分类号: H01S5/022 分类号: H01S5/022;H01S5/024;H01S5/40
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710077 陕西省西安市高新区*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 绝缘 半导体激光器 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种热沉绝缘型半导体激光器封装结构,其特征在于,包括至少一个半导体激光器单元,每个半导体激光器单元包括:第一半导体激光器模块、第二半导体激光器模块、连接电极、制冷器;其中,

第一半导体激光器模块和第二半导体激光器模块均包括:激光芯片、导电层,所述激光芯片键合于所述导电层上,所述导电层设置于所述制冷器的表面,与所述制冷器彼此绝缘;

第一半导体激光器模块的电极位置与第二半导体激光器模块的电极位置相反,通过连接电极实现第一半导体激光器模块和第二半导体激光器模块之间的电连接。

2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述导电层设置于所述制冷器的表面,包括:所述第一半导体激光器模块和第二半导体激光器模块分别设置于不同的制冷器上;其中,

所述第一半导体激光器模块的导电层,设置于与第一半导体激光器模块对应的制冷器的上表面;

所述第二半导体激光器模块的导电层,设置于与第二半导体激光器模块对应的制冷器的上表面。

3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述导电层设置于所述制冷器的表面,包括:所述第一半导体激光器模块和第二半导体激光器模块设置于同一制冷器上;其中,

所述第一半导体激光器模块设置于所述制冷器的上表面,所述第二半导体激光器模块设置于所述制冷器的下表面。

4.根据权利要求2或3所述的封装结构,其特征在于,所述导电层包括键合区、正电极区、负电极区;其中,

所述键合区,用于键合激光芯片;所述正电极区用于作为半导体激光器模块的正电极,所述负电极区用于作为半导体激光器模块的负电极。

5.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于,通过金线实现激光芯片正极与导电层的正电极区的电连接,以及激光芯片负极与导电层的负电极区的电连接。

6.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于,所述第一半导体激光器模块的电极位置与第二半导体激光器模块的电极位置相反,为:

所述第一半导体激光器模块正电极区的位置,对应于第二半导体激光器模块负电极区的位置;

所述第一半导体激光器模块负电极区的位置,对应于第二半导体激光器模块正电极区的位置。

7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述制冷器为片状方形液体制冷器;其中,

所述正电极区和负电极区分别位于:所述片状方形液体制冷器的两条长边处;

所述键合区位于:所述片状方形液体制冷器的两条长边之间的一侧的短边处。

8.根据权利要求7所述的封装结构,其特征在于,所述连接电极为U型电极,一端与第一半导体激光器模块的正电极区或负电极区相接触,另一端与第二半导体激光器模块的负电极区或正电极区相接触,用于实现第一半导体激光器模块的正电极区与第二半导体激光器模块的负电极区之间的电连接,或第一半导体激光器模块的负电极区与第二半导体激光器模块的正电极区之间的电连接。

9.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述半导体激光器单元还包括:绝缘层;所述绝缘层设置于液体制冷器的上表面与下表面,用于实现导电层或连接电极与液体制冷器之间彼此绝缘。

10.一种热沉绝缘型半导体激光器叠阵,其特征在于,所述叠阵包括:多个如权利要求1至9任一项所述的半导体激光器单元。

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