[发明专利]半导体刻蚀机台在审
| 申请号： | 201710951426.9 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107622943A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 刘希飞;阚保国;刘家桦 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 刻蚀 机台 | ||
1.一种半导体刻蚀机台，其特征在于，包括：
刻蚀装置，包括：
侧壁，所述侧壁围成刻蚀腔；
顶盖，密封设置于所述侧壁的顶部；
真空泵，固定设置于所述刻蚀腔的底部；
晶圆吸附盘，设置于所述刻蚀腔内；
悬臂，固定连接所述晶圆吸附盘和所述侧壁，所述悬臂的高度尺寸大于所述悬臂的厚度尺寸；且从所述悬臂的顶端至所述悬臂的底端，所述悬臂的厚度先逐渐增大，后逐渐减小。
2.如权利要求1所述的半导体刻蚀机台，其特征在于，所述侧壁包括：
固定设置的第一侧壁；
第二侧壁，所述第二侧壁适于沿所述晶圆吸附盘的径向相对所述第一侧壁运动，所述悬臂固定连接所述第二侧壁。
3.如权利要求2所述的半导体刻蚀机台，其特征在于，所述悬臂为多个，至少两个所述悬臂沿所述悬臂的厚度方向设置；和/或，至少两个所述悬臂沿所述悬臂的高度方向设置。
4.如权利要求3所述的半导体刻蚀机台，其特征在于，所述悬臂的厚度L1满足：L1≤5.0cm；和/或，沿厚度方向的相邻两个悬臂之间的距离L2满足：L2≥5.0cm。
5.如权利要求2所述的半导体刻蚀机台，其特征在于，所述悬臂具有引导孔，所述引导孔贯穿所述悬臂的轴向两端。
6.如权利要求1所述的半导体刻蚀机台，其特征在于，所述刻蚀腔为圆形刻蚀腔。
7.如权利要求1所述的半导体刻蚀机台，其特征在于，所述悬臂为多个，多个所述悬臂沿所述晶圆吸附盘的周向方向均匀设置。
8.如权利要求1－7任一项所述的半导体刻蚀机台，其特征在于，所述悬臂采用铝合金材料，所述悬臂的外周壁的镀设有氧化铝薄膜。
9.如权利要求1－7任一项所述的半导体刻蚀机台，其特征在于，所述悬臂设有通气孔，所述通气孔沿所述悬臂的高度方向贯穿所述悬臂。
10.如权利要求1－7任一项所述的半导体刻蚀机台，其特征在于，所述悬臂垂直于轴向方向的截面为流线型形状。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
