[发明专利]一种半桥反激谐振电路

权利要求书

1.一种半桥反激谐振电路，其特征在于，包括：

半桥电路，包括上桥臂和下桥臂，所述上桥臂和下桥臂串接于输入电源的正极和负极之间，且所述上桥臂和下桥臂分别具有开关元件，上桥臂和下桥臂中的开关元件用于轮流导通和关断；

原边输入电路，与所述下桥臂并联，包括储能元件和反激变压器的原边绕组，所述原边绕组的同名端连接于所述上桥臂和所述下桥臂之间，所述原边绕组的异名端经由所述储能元件连接所述输入电源的负极；

反激副边电路，用于输出合适的输出电压，包括所述反激变压器的副边绕组，所述副边绕组的异名端作为输出所述输出电压的正极，所述副边绕组的同名端作为输出所述输出电压的负极。

2.根据权利要求1所述的半桥反激谐振电路，其特征在于，所述反激副边电路还包括第一二极管、第一电容、第一电阻，所述第一二极管的正极连接所述副边绕组的异名端，所述第一二极管的负极与所述第一电阻的第一端、所述第一电容的第一端连接，所述第一电阻的第二端、所述第一电容的第二端连接所述副边绕组的同名端，所述第一电阻的第一端作为接入外部负载的正极，所述第一电阻的第二端作为接入外部负载的负极。

3.根据权利要求1所述的半桥反激谐振电路，其特征在于，所述半桥反激谐振电路还包括电流采样电阻，所述电流采样电阻的一端连接至所述储能元件与所述下桥臂的公共节点，所述电流采样电阻的另一端连接至所述输入电源的负极。

4.根据权利要求1所述的半桥反激谐振电路，其特征在于，所述反激副边电路的数量为多个且相互独立。

5.根据权利要求1所述的半桥反激谐振电路，其特征在于，所述原边电路还包括第一电感，所述第一电感的同名端连接所述输入电源的负极，所述第一电感的异名端经由所述储能元件连接所述原边绕组的异名端。

6.根据权利要求1所述的半桥反激谐振电路，其特征在于，所述储能元件为第二电容。

7.根据权利要求1所述的半桥反激谐振电路，其特征在于，所述开关元件为以下任意之一：MOS管、IGBT、三极管、晶闸管、可控硅。

8.根据权利要求1所述的半桥反激谐振电路，其特征在于，所述开关元件为以下任意元件的串并联组合：MOS管、IGBT、三极管、晶闸管、可控硅。

9.根据权利要求1所述的半桥反激谐振电路，其特征在于，所述开关元件为以下任意元件与二极管并联：MOS管、IGBT、三极管、晶闸管、可控硅。

10.根据权利要求1所述的半桥反激谐振电路，其特征在于，所述半桥反激谐振电路还包括串接于所述输入电源的正极和负极之间的第三电容。