[发明专利]一种基于纳米棒结构的按插式键合单元

权利要求书

1.一种基于纳米棒结构的按插式键合单元，其特征在于：由相对设置的上衬底层和下衬底层组成；其中，所述上衬底层下表面上生长有上纳米棒电极，所述下衬底层上表面上生长有下纳米棒电极，所述上纳米棒电极与所述下纳米棒电极相互嵌扣形成载体通路，所述上衬底层通过所述载体通路与所述下衬底层电互连；所述上衬底层上的所述上纳米棒电极矩阵的横截面呈锯齿状，所述下衬底层上的所述下纳米棒电极矩阵的横截面也呈锯齿状；所述上衬底层上的所述上纳米棒电极沿生长方向上直径逐渐递减，所述下衬底层上的所述下纳米棒电极沿生长方向上直径逐渐递减；所述上纳米棒电极和所述下纳米棒电极的截面都呈梯形，所述梯形的腰与上底边的夹角为上倾角；所述上纳米棒电极的上倾角和所述下纳米棒电极的上倾角都大于90°；在嵌扣状态下，随着所述上纳米棒电极与所述下纳米棒电极的相互嵌入度不断深入，所述下衬底层通过所述下纳米棒电极和所述上纳米棒电极之间进行接触且随着不断向下深入而发生相互挤压进而提供良好并稳定的所述载体通路从而与所述上衬底层形成稳定的电互连；在松开状态下时，所述下纳米棒电极和所述上纳米棒电极之间的接触断开，所述下衬底层与所述上衬底层不再电互连。

2.根据权利要求1所述的基于纳米棒结构的按插式键合单元，其特征在于：所述上衬底层和所述下衬底层为硅晶圆衬底或金属板衬底。

3.根据权利要求1所述的基于纳米棒结构的按插式键合单元，其特征在于：所述上纳米棒电极呈矩阵式排布在所述上衬底层上；所述下纳米棒电极呈矩阵式排布在所述下衬底层上。

4.根据权利要求3所述的基于纳米棒结构的按插式键合单元，其特征在于：所述上纳米棒电极与所述下纳米棒电极均为金属纳米棒电极。

5.根据权利要求3所述的基于纳米棒结构的按插式键合单元，其特征在于：相邻所述上纳米棒电极之间间隙的最宽处不大于所述下纳米棒电极的最大直径；相邻所述下纳米棒电极之间间隙的最宽处不大于所述上纳米棒电极的最大直径。