[发明专利]图像感测器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像感测器，包括：

基板；

图案化电极层，位于该基板上，该图案化电极层包括多个彼此分离的电极层区块；

像素隔离结构，设置于该基板上，其中该像素隔离结构包括金属卤化物；以及

图案化光电转换层，设置于该些电极层区块上形成多个对应的光电转换层区块，该些光电转换层区块包括钙钛矿材料，且该些光电转换层区块彼此经由该像素隔离结构分隔开来，

其中该钙钛矿材料是以分子式表示如下：(AMX₃)_1-n(B₂MX₄)_n，其中A为正一价金属阳离子或正一价有机阳离子，B为R1-NH₃阳离子，其中R1为碳数4～18的烷基，M为正二价金属阳离子，X为卤素，且n＝0～1。

2.如权利要求1所述的图像感测器，其中该金属卤化物是以分子式表示如下：(MX₂)_a(AMX₃)_b(B₂MX₄)_c，其中A为正一价金属阳离子或正一价有机阳离子，B为R1-NH₃阳离子，其中R1为碳数4～18的烷基，M为正二价金属阳离子，X为卤素，且ab+c。

3.如权利要求1所述的图像感测器，还包括：

金属卤化物薄膜，位于该些光电转换层区块上并位于该些光电转换层区块和该些电极层区块之间，其中该金属卤化物薄膜的厚度为小于10纳米。

4.如权利要求1所述的图像感测器，其中该图案化光电转换层的一顶表面高于该像素隔离结构的一顶表面。

5.如权利要求1所述的图像感测器，其中该图案化光电转换层的一顶表面与该像素隔离结构的一顶表面共平面。

6.如权利要求1所述的图像感测器，还包括：

第一缓冲层，设置于该图案化电极层上，其中该图案化光电转换层位于该第一缓冲层上；

第二缓冲层，设置于该图案化光电转换层上；以及

电极层，设置于该第二缓冲层上。

7.如权利要求6所述的图像感测器，还包括：

平坦层，设置于该电极层上；

彩色滤光层，设置于该平坦层上；以及

透镜层，设置于该彩色滤光层上。

8.如权利要求1所述的图像感测器，其中该基板包括一像素感测电路。

9.如权利要求1所述的图像感测器，其中该些电极层区块镶在该基板上。

10.如权利要求1所述的图像感测器，其中该些电极层区块的一顶表面与该基板的一顶表面共平面。

11.一种图像感测器的制造方法，包括：

提供一基板；

形成一图案化电极层于该基板上，该图案化电极层包括多个彼此分离的电极层区块；

形成一金属卤化物层于该些电极层区块及该基板上，该金属卤化物层包括形成在该些电极层区块上的一第一金属卤化物层及形成在该基板上的一第二金属卤化物层；以及

提供一有机卤化物层接触该第一金属卤化物层，并在该第一金属卤化物层上进行一固态反应，将该第一金属卤化物层转成一图案化光电转换层于该图案化电极层上，其中该图案化光电转换层包括钙钛矿材料。

12.如权利要求11所述的图像感测器的制造方法，其中进行该固态反应的加热温度为90～140℃，进行该固态反应的反应时间为10～120分钟。

13.如权利要求11所述的图像感测器的制造方法，其中该图案化电极层具有一第一厚度，该第二金属卤化物层具有一第二厚度，且该第二厚度小于该第一厚度。