[发明专利]一种中阶梯光栅用铝薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710952060.7 申请日: 2017-10-13
公开(公告)号: CN107783214A 公开(公告)日: 2018-03-09
发明(设计)人: 黄建明;杨敏 申请(专利权)人: 苏州领锐源奕光电科技有限公司
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18;C23C14/30;C23C14/14
代理公司: 北京品源专利代理有限公司11332 代理人: 巩克栋
地址: 215200 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 阶梯 光栅 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种中阶梯光栅用铝薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:采用电子束蒸发技术在基底材料上沉积一层金属铝薄膜;其中,所述铝薄膜的厚度为7~10微米。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述沉积是在真空度为2×10-4Pa以上的真空室中进行的。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述沉积的温度为23~28℃。

4.根据权利要求1-3之一所述的制备方法,其特征在于,所述沉积的时间为10~40min。

5.根据权利要求1-4之一所述的制备方法,其特征在于,基底材料上沉积所用的金属铝的纯度为99.99%以上。

6.根据权利要求1-5之一所述的制备方法,其特征在于,所述基底材料为石英、玻璃、晶体或硅片。

7.根据权利要求1-6之一所述的制备方法,其特征在于,所述沉积步骤前还包括将基底材料清洗的步骤。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述清洗为超声清洗。

9.一种中阶梯光栅用铝薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将基底材料超声清洗,23~28℃的温度下,在真空度为2×10-4Pa以上的真空室中采用电子束蒸发技术在基底材料上沉积一层金属铝薄膜,所述沉积的时间为10~40min,所述铝薄膜的厚度为7~10微米。

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