[发明专利]具有高孔径比的超高密度显示装置

说明书

本公开内容涉及具有高孔径比的超高密度显示装置。本公开内容提出一种显示装置，其包括：上水平电流线、水平感测线、扫描线和下水平电流线，这些线沿水平方向延伸并且按上述顺序从上侧到下侧沿竖直方向依次设置在衬底上；发射区域，其被限定在水平感测线与上水平电流线之间；非发射区域，其被限定在水平感测线与下水平电流线之间；开关薄膜晶体管和感测薄膜晶体管，这些晶体管被设置在水平感测线与扫描线之间；驱动薄膜晶体管，其被设置在扫描线与下水平电流线之间；阳极电极，其从发射区域扩展至非发射区域，并且连接至驱动薄膜晶体管；以及阳极瓶颈部，其被设置在水平感测线与扫描线之间，用于选择性地使阳极电极与驱动薄膜晶体管断开连接。

技术领域

本公开内容涉及具有高孔径比的超高密度显示装置。特别地，本公开内容涉及具有用于使缺陷像素变暗的瓶颈部以及在像素区域中具有最大化的孔径比的超高密度有机发光二极管显示器。

背景技术

现今，开发出各种显示装置(或“FPD”)用于克服笨重庞大的阴极射线管(或“CRT”)的许多缺点。显示装置包括液晶显示装置(或“LCD”)、场发射显示器(或“FED”)、等离子体显示面板(或“PDP”)、电致发光装置(或“EL”)等。

作为自发射显示装置，电致发光装置具有响应速度极快、亮度极高和视角大的优点。电致发光装置可以分为无机发光二极管显示器和有机发光二极管(或“OLED”)显示器。由于具有良好的能量效率和较低的漏电流并且易于通过电流控制来表示颜色和亮度，因此更为需要使用有机发光二极管的OLED显示器。

图1是示出有机发光二极管的结构的图。如图1所示，有机发光二极管包括有机发光材料层，以及以有机发光材料层位于其间的方式彼此面对的阴极和阳极。有机发光材料层包括空穴注入层HIL、空穴输运层HTL、发射层EML、电子输运层ETL和电子注入层EIL。

有机发光二极管由于来自在激发状态下形成的激子的能量而辐射光，在激发状态下来自阳极的空穴和来自阴极的电子在发射层EML处复合。如图1所示,有机发光二极管显示器可以通过控制有机发光二极管的发射层EML产生和辐射的光的量(或“亮度”)来表示视频数据。

使用具有良好能量效率的有机发光二极管的OLED显示器可以分为无源矩阵型有机发光二极管(或“PMOLED”)显示器和有源矩阵型有机发光二极管(或“AMOLED”)显示器。

有源矩阵型有机发光二极管(或“AMOLED”)显示器通过使用薄膜晶体管(或“TFT”)控制施加于有机发光二极管的电流来呈现视频数据。下文将参照图2和图3对根据相关技术的有机发光二极管显示器进行说明。

图2是示出有源矩阵有机发光二极管(或“AMOLED”)显示器中的一个像素的结构的示例性电路图。图3是示出根据相关技术的AMOLED的结构的平面图。图4是用于示出根据相关技术的底部发射型AMOLED的结构的沿切割线I-I'的截面图。

参照图2和图3，有源矩阵有机发光二极管显示器的一个像素包括开关薄膜晶体管ST、连接至开关薄膜晶体管ST的驱动薄膜晶体管DT以及连接至驱动薄膜晶体管DT的有机发光二极管OLED。通过在衬底上淀积扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD来限定像素区域。由于有机发光二极管设置在像素区域内，所以它限定了发射区域。

开关薄膜晶体管ST形成在扫描线SL与数据线DL的交叉处。开关薄膜晶体管ST用于选择连接至开关薄膜晶体管ST的像素。开关薄膜晶体管ST包括从栅极线GL分支的栅电极SG、与栅电极SG交叠的半导体沟道层SA、源电极SS以及漏电极SD。驱动薄膜晶体管DT用于驱动设置在由开关薄膜晶体管ST选择的像素处的有机发光二极管OLED的阳极电极ANO。