[发明专利]单晶硅正金字塔周期阵列结构绒面制备方法及其应用

权利要求书

1.一种单晶硅正金字塔周期阵列结构绒面制备方法，其特征在于，所述正金字塔周期阵列结构绒面制备方法中包括：

提供具备亲水性的单晶硅片；

在所述单晶硅片表面形成规则排布的聚合物微球薄膜；

对所述聚合物微球薄膜进行蚀刻，将单晶硅片表面的的聚合物微球彼此分离；

对所述聚合物微球进一步进行湿法蚀刻，得到正金字塔周期阵列结构绒面。

2.如权利要求1所述的正金字塔周期阵列结构绒面制备方法，其特征在于，在步骤在所述单晶硅片表面形成规则排布的聚合物微球薄膜中，具体为：

通过微推注射的自组装技术在所述单晶硅片表面形成规则排布的聚合物微球薄膜。

3.如权利要求1或2所述的正金字塔周期阵列结构绒面制备方法，其特征在于，在对所述聚合物微球进一步进行湿法蚀刻中，具体为：

将带有聚合物微球薄膜的单晶硅片垂直插入含有氢氧化钾/异丙醇体系溶液或氢氧化钠/异丙醇体系溶液或四甲基氢氧化铵溶液中进行湿法蚀刻。

4. 如权利要求3所述的正金字塔周期阵列结构绒面制备方法，其特征在于，在湿法蚀刻的过程中，腐蚀温度为50~70 ℃，腐蚀时间为8~20 min。

5.如权利要求1或2或4所述的正金字塔周期阵列结构绒面制备方法，其特征在于，在步骤对所述聚合物微球薄膜进行蚀刻中，具体为：

采用等离子体蚀刻方法对所述聚合物微球薄膜进行蚀刻。

6.如权利要求5所述的正金字塔周期阵列结构绒面制备方法，其特征在于，在等离子蚀刻中，刻蚀功率90~120 W，蚀刻时间10~15 min。

7.一种单晶硅正金字塔周期阵列结构绒面的应用，其特征在于，应用于太阳能电池的制备。