[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有第一鳍部；

形成覆盖所述第一鳍部侧壁的第一侧墙结构，所述第一侧墙结构包括相对的第一面和第二面，所述第二面朝向所述第一鳍部侧壁表面；

在所述第一侧墙结构之间的第一鳍部中形成第一凹槽，所述第一凹槽侧壁暴露出所述第一侧墙结构；

形成所述第一凹槽之后，对所述第一侧墙结构第一面进行刻蚀，去除部分第一侧墙结构；

对所述第一侧墙结构第一面进行刻蚀之后，在所述第一凹槽中形成第一外延层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一凹槽之后，形成所述第一外延层之前，还包括：对所述第一侧墙结构第二面进行刻蚀，去除部分第一侧墙结构。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一侧墙结构的第一面进行刻蚀的过程中，对所述第一侧墙结构的第二面进行刻蚀。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一凹槽的工艺包括：等离子体干法刻蚀工艺。

5.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙结构包括：覆盖所述第一鳍部侧壁的第一侧墙层；位于所述第一侧墙层侧壁表面的第二侧墙层，所述第二侧墙层与所述第一侧墙层的材料不相同。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一侧墙结构第一面进行刻蚀，去除部分第一侧墙结构的步骤包括：去除全部或部分所述第二侧墙层。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙结构还包括位于所述第二侧墙层侧壁表面的第三侧墙层，所述第三侧墙层的材料与所述第二侧墙层的材料不相同。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙层与第三侧墙层的材料相同。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三侧墙层的材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；所述第一侧墙层的材料包括氮化硅、氮氧化硅或氧化硅；所述第二侧墙层的材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

10.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙层的厚度为2nm～5nm；所述第二侧墙层的厚度为1nm～3nm；所述第三侧墙层的厚度为1nm～3nm。

11.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一凹槽之后，形成所述第一外延层之前，还包括：对所述第一侧墙结构的第二面进行刻蚀，去除部分第一侧墙结构；

对所述第一侧墙结构第一面进行刻蚀的步骤包括：对所述第三侧墙层进行刻蚀，去除全部或部分的所述第三侧墙层；对所述第一侧墙结构第二面进行刻蚀的步骤包括：对所述第一侧墙层进行刻蚀，去除部分或全部的第一侧墙层；对所述第三侧墙层进行刻蚀的过程中，对所述第一侧墙层进行刻蚀。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一侧墙层和第三侧墙层进行刻蚀的工艺包括：各向同性干法刻蚀工艺；

对所述第一侧墙层和第三侧墙层进行刻蚀的工艺参数包括：刻蚀气体包括CHF₃、O₂、CF₄、N₂和SF₆中的一种或多种组合；去除的所述第一侧墙层的厚度为2nm～3nm；去除的所述第三侧墙层的厚度为1nm～3nm。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一侧墙结构第一面进行刻蚀，去除部分第一侧墙结构的工艺包括各向同性干法刻蚀工艺。