[发明专利]晶圆级芯片封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710953079.3 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107611091A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠;吴政达 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/98 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆级 芯片 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述晶圆级芯片封装结构包括：
半导体芯片；
重新布线层，包括低k介质层、位于所述低k介质层内及所述低k介质层上表面的金属线层；所述低k介质层位于所述半导体芯片的正面，且所述金属线层与所述半导体芯片电连接；
沟槽，位于所述半导体芯片之间的所述低k介质层内，且环绕所述半导体芯片；所述沟槽上下贯通所述低k介质层；
焊料凸块，位于所述重新布线层的上表面，且与所述金属线层电连接；
保护层，填充于所述焊料凸块之间及外围，且覆盖裸露的所述低k介质层及所述金属线层。
2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述晶圆级芯片封装结构包括一个所述半导体芯片。
3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述晶圆级芯片封装结构包括至少两个所述半导体芯片。
4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括一层所述低k介质层及一层所述金属线层。
5.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述保护层为高分子防水材料层。
6.根据权利要求5所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述保护层的材料为环氧树脂层。
7.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述保护层的上表面不高于所述焊料凸块的上表面。
8.一种晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述晶圆级芯片封装结构的制备方法包括如下步骤：
1)提供一半导体衬底，所述半导体衬底内形成有若干个半导体芯片；
2)于所述半导体衬底的上表面形成重新布线层，所述重新布线层包括低k介质层、位于所述低k介质层内及所述低k介质层上表面的金属线层；
3)于所述重新布线层的上表面形成焊料凸块，所述焊料凸块与所述金属线层电连接；
4)于所述低k介质层内形成沟槽，所述沟槽上下贯穿所述低k介质层，所述沟槽位于各所述半导体芯片之间，且环绕各所述半导体芯片；
5)于步骤4)得到的结构上表面形成保护层，所述保护层填充于所述焊料凸块之间及外围，且覆盖裸露的所述低k介质层及所述金属线层；
6)自所述沟槽处进行切割分离，以得到晶圆级芯片封装结构。
9.根据权利要求8所述的晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于：步骤2)包括如下步骤：
2-1)于所述半导体衬底的上表面形成所述低k介质层；
2-2)于所述低k介质层内形成开口，所述开口暴露出所述连接焊垫；
2-3)于所述开口内及所述开口外围的所述低k介质层的上表面形成所述金属线层，所述金属线层与所述连接焊垫接触连接。
10.根据权利要求8所述的晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于：步骤4)中，采用激光于所述低k介质层内形成所述沟槽。
11.根据权利要求8所述的晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于：步骤6)中，采用激光切割工艺自所述沟槽处进行切割分离。
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