[发明专利]晶圆级芯片封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述晶圆级芯片封装结构包括：

半导体芯片；

重新布线层，位于所述半导体芯片的正面，且与所述半导体芯片电连接；

焊料凸块，位于所述重新布线层远离所述半导体芯片的表面，且与所述重新布线层电连接；以及

保护材料层，塑封于所述半导体芯片、所述重新布线层以及所述焊料凸块的外围，且所述保护材料层的上表面不高于所述焊料凸块的上表面，所述保护材料层的下表面与所述半导体芯片的背面相平齐。

2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述保护材料层包含高分子防水材料层。

3.根据权利要求2所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述保护材料层包含环氧树脂层。

4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述重新布线层包括：

介质层，位于所述半导体芯片的正面；以及

金属连线层，至少位于所述介质层内，且所述金属连线层实现所述半导体芯片与所述焊料凸块的电连接。

5.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述重新布线层包括：

第一介质层，位于所述半导体芯片的正面；

金属线层，位于所述第一介质层内，且与所述半导体芯片电连接；

第二介质层，覆盖于所述第一介质层及所述金属线层的上表面；以及

凸块下金属层，位于所述第二介质层内及所述第二介质层表面，且与所述金属线层及所述焊料凸块电连接。

6.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述焊料凸块包括：

金属柱，位于所述重新布线层远离所述半导体芯片的表面，且与所述重新布线层电连接；

焊球，位于所述金属柱的远离所述半导体芯片的表面。

7.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述焊料凸块包括焊球。

8.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述晶圆级芯片封装结构内所述半导体芯片的数量为一个。

9.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述晶圆级芯片封装结构内所述半导体芯片的数量为至少两个，且相邻所述半导体芯片之间具有间距。

10.根据权利要求1～9中任意一项所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述晶圆级芯片封装结构还包括底层保护层，所述底层保护层与所述保护材料层共同将所述半导体芯片、所述重新布线层以及所述焊料凸块塑封。

11.一种晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)提供一晶圆，所述晶圆内形成有若干个半导体芯片；

2)于所述晶圆上表面形成重新布线层，所述重新布线层与所述半导体芯片电连接，所述重新布线层包括介质层以及至少位于所述介质层内的金属连线层；于所述重新布线层上表面形成焊料凸块，且所述焊料凸块与所述金属连线层电连接；

3)于所述介质层内形成上下贯穿所述介质层的第一沟槽，所述第一沟槽对应位于各所述半导体芯片之间，且环绕所述半导体芯片；

4)将步骤3)所得到的结构转移并贴置于第一切割蓝膜上，所述半导体芯片的背面与所述第一切割蓝膜相接触，于所述第一沟槽下方对应形成第二沟槽，所述第二沟槽上下贯穿所述晶圆，以得到相互分离的且正面形成有重新布线层及焊料凸块的半导体芯片；

5)提供一载体，将步骤4)所得到的各所述半导体芯片自所述第一切割蓝膜上取下并贴置于所述载体的上表面，所述半导体芯片的背面与所述载体的上表面相接触，且相邻所述半导体芯片之间具有间距；

6)于所述载体的上表面形成保护材料层，所述保护材料层填满各所述半导体芯片、所述重新布线层以及所述焊料凸块之间的间隙，并将所述半导体芯片、所述重新布线层以及所述焊料凸块塑封，且所述保护材料层的上表面不高于所述焊料凸块的上表面；及

7)去除所述载体，并将去除所述载体后的结构进行切割，以得到所述晶圆级芯片封装结构。

12.根据权利要求11所述的晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于，步骤4)还包括步骤：提供一固定环，并将所述第一切割蓝膜固定于所述固定环上。