[发明专利]铌酸锂薄膜纳米级周期性极化的方法

权利要求书

1.一种铌酸锂薄膜纳米级周期性极化的方法，其特征在于，首先在铌酸锂单晶薄膜样品表面甩胶后模压得到纳米梳状结构，然后在纳米梳状结构上镀制金属膜层作为顶电极，再通过铌酸锂单晶薄膜样品中的导电电极层和顶电极进行极化处理，最后通过去除甩胶和导电电极层，得到周期性极化铌酸锂薄膜；

所述的铌酸锂单晶薄膜样品包括铌酸锂衬底以及依次设置于其上的二氧化硅层、导电电极层和铌酸锂单晶薄膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的导电电极层为金或铂金。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的甩胶，具体为在铌酸锂单晶薄膜样品上旋涂一层PMMA溶液。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的模压是指，在甩胶固化前，将纳米尺度电极的模具压在上面，并在低压环境下施加压力，使得甩胶填充模具中的空腔；压模过程结束后固化形成具有与模具重合的图形并移去模具。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征是，所述的模具，其图案为纳米梳状结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的镀制，采用蒸镀或磁控溅射，其中：镀制的金属膜的厚度大于压印纳米梳状结构中的刻槽的深度，从而得到大面积梳齿规则的纳米电极。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的极化处理是指，在铌酸锂单晶薄膜样品的铌酸锂衬底上设置接地电极，在顶电极与接地电极之间施加极化电脉冲信号，该极化电脉冲信号所产生的极化电场方向与铌酸锂畴的自发极化相反。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征是，当所述铌酸锂单晶薄膜样品的厚度为300-700nm时，极化电压为6.3-14.7V。

9.一种纳米级周期性极化结构，其特征在于，通过上述任一权利要求所述方法制备得到。