[发明专利]具有空间分布的气体通道的气流控制衬垫有效
申请号: | 201710953411.6 | 申请日: | 2014-04-21 |
公开(公告)号: | CN107833848B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 穆罕默德·图格鲁利·萨米尔;刘树坤 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/44;C23C16/455 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 空间 分布 气体 通道 气流 控制 衬垫 | ||
1.一种衬垫组件,包括:
下衬垫,所述下衬垫具有外表面、内表面、上表面和多个气体通道,所述内表面界定处理容积,所述上表面将所述外表面连接至所述内表面,所述多个气体通道将所述外表面连接至所述处理容积,所述多个气体通道的每一者包括第一部分,所述第一部分连接至第二部分,每一第一部分对所述下衬垫的所述外表面开启,并且每一第二部分具有对所述上表面开启的上端和连接至所述第一部分的下端;和
上衬垫,所述上衬垫设置成邻近于所述下衬垫,所述上衬垫包括多个流动导引件,所述多个流动导引件与所述多个气体通道对齐。
2.如权利要求1所述的衬垫组件,进一步包括排气开口,所述排气开口与所述多个气体通道位于所述下衬垫的相对侧上。
3.如权利要求2所述的衬垫组件,进一步包括基板开口,所述基板开口穿过所述下衬垫且位于所述排气开口与所述多个气体通道之间。
4.如权利要求1所述的衬垫组件,其中所述上表面面向所述上衬垫。
5.如权利要求1所述的衬垫组件,其中所述上衬垫包括环形主体,所述环形主体具有径向向内延伸的唇部,并且所述下衬垫包括环形主体。
6.如权利要求5所述的衬垫组件,其中所述唇部界定中央开口。
7.如权利要求5所述的衬垫组件,其中所述唇部被定位成远离所述下衬垫。
8.如权利要求1所述的衬垫组件,其中所述下衬垫和所述上衬垫包括石英。
9.一种衬垫组件,包括:
下衬垫,所述下衬垫具有外表面、内表面、上表面和多个气体通道,所述内表面界定处理容积,所述上表面将所述外表面连接至所述内表面,所述多个气体通道将所述外表面连接至所述处理容积;和
上衬垫,所述上衬垫设置成邻近于所述下衬垫,所述上衬垫包括多个流动导引件和唇部,所述多个流动导引件与所述多个气体通道对齐,所述唇部径向向内延伸。
10.如权利要求9所述的衬垫组件,其中所述唇部界定中央开口。
11.如权利要求9所述的衬垫组件,其中所述唇部被定位成远离所述下衬垫。
12.如权利要求9所述的衬垫组件,其中所述上衬垫包括环形主体,所述环形主体具有弯曲内表面,所述弯曲内表面面向所述下衬垫。
13.如权利要求12所述的衬垫组件,其中所述多个流动导引件形成在所述内表面中。
14.一种用于保护基板处理腔室的内表面的衬垫组件,包括:
衬垫主体,所述衬垫主体具有外表面、内表面、上表面和多个水平沟道,所述上表面将所述外表面连接至所述内表面,所述多个水平沟道连接至多个倾斜沟道;和
注射环,所述注射环附接至所述衬垫主体的所述内表面,所述注射环具有多个水平沟道,所述注射环的所述多个水平沟道的每一者与所述衬垫主体的所述多个倾斜沟道之一对齐,且所述注射环的所述多个水平沟道的每一者连接至所述衬垫主体的所述多个倾斜沟道之一。
15.如权利要求14所述的衬垫组件,其中所述注射环的所述多个水平沟道形成为穿过所述注射环并且彼此平行。
16.如权利要求14所述的衬垫组件,其中所述衬垫主体包括环形主体。
17.一种用于保护基板处理腔室的内表面的衬垫组件,包括:
衬垫主体,所述衬垫主体具有外表面、内表面、上表面和多个第一沟道,所述上表面将所述外表面连接至所述内表面,所述多个第一沟道连接至多个第二沟道;和
多个注射块,所述多个注射块耦接至所述衬垫主体的所述内表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造