[发明专利]一种准分子激光退火设备

说明书

本发明实施例提供一种准分子激光退火设备，涉及显示技术领域，解决了激光输出通道中气体气氛不均匀导致的形成的多晶硅层的质量不均匀的问题。该准分子激光退火设备包括条状的激光输出通道；所述条状的激光输出通道包括两个端面和与所述两个端面均相接的侧面；所述准分子激光退火设备还包括设置在所述侧面的至少一个进气管路，以及设置在所述端面的进气管路；其中，所述进气管路用于向所述激光输出通道输入气体。用于提高激光输出通道中气体气氛的均一性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种准分子激光退火设备。

背景技术

现有的显示装置中的多晶硅层常采用准分子激光退火(Excimer LaserAnnealing)工艺形成。准分子激光退火具体是利用准分子激光退火设备发出的准分子激光束对待处理基板上的非晶硅层进行短时间照射，使其再结晶变成多晶硅层。

准分子激光退火工艺的质量决定着非晶硅转化为多晶硅的工艺质量。现有的准分子激光退火设备中激光发生器发射的激光射入激光输出通道后，在激光输出通道中传输并出射。由于现有的条状的激光输出通道仅在激光输出通道的侧面设置进气管路，因而造成了激光输出通道的中间位置和两侧位置气体气氛的不均匀，从而导致从激光输出通道的不同位置出射的激光光斑(Beam)能量的不均匀，进而导致形成的多晶硅层的质量不均匀。

发明内容

本发明的实施例提供一种准分子激光退火设备，解决了激光输出通道中气体气氛不均匀导致的形成的多晶硅层的质量不均匀的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供一种准分子激光退火设备，包括条状的激光输出通道；所述条状的激光输出通道包括两个端面和与所述两个端面均相接的侧面；所述准分子激光退火设备还包括设置在所述侧面的至少一个进气管路，以及设置在所述端面的进气管路；其中，所述进气管路用于向所述激光输出通道输入气体。

优选的，所述激光输出通道的两个端面均设置有所述进气管路。

优选的，所述准分子激光退火设备还包括设置在所述进气管路中的气体扩散装置，用于控制从所述进气管路输入至所述激光输出通道的气体的气流速度和/或气体量。

进一步优选的，所述气体扩散装置设置在所述进气管路的出口处。

优选的，所述准分子激光退火设备还包括分布在所述激光输出通道内的多个气体检测器；所述气体检测器用于检测该气体检测器所在位置处的气体浓度。

优选的，所述激光输出通道上设置的各个所述进气管路的内径大小相同。

优选的，所述准分子激光退火设备还包括气体源，所述气体源与各所述进气管路均相连，用于为各所述进气管路提供气体；所述气体源提供的气体包括氮气。

优选的，所述激光输出通道的侧面设置有多个所述进气管路，相邻所述进气管路之间的距离相等。

优选的，所述激光输出通道的侧面设置的进气管路的个数为2～5个。

优选的，所述准分子激光退火设备还包括激光发生器，所述激光发生器用于发射激光；所述激光发生器发射的激光射向所述激光输出通道中。

本发明实施例提供一种准分子激光退火设备，由于激光输出通道的侧面和端面均设置有进气管路，因而气体可以通过侧面设置的进气管路和端面设置的进气管路进入激光输出通道中，相对于技术中，气体只能通过侧面设置的进气管路进入激光输出通道，本发明实施例还通过端面设置的进气管路进入激光输出通道，因而减小了激光输出通道的端部位置和其余位置的气体浓度差异，提高了激光输出通道中气体氛围的均一性，从而使得激光光斑的能量在激光输出通道的各个位置都是均匀的，而激光光斑能量的均匀可以提高多晶硅成型后的均一性和结晶化能力。当多晶硅层应用于TFT器件中，可以提高TFT器件的电学性能，同时可减少激光退火工艺产生的Mura类不良。