[发明专利]一种高储能效率铁电聚合物基电介质薄膜、及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种铁电聚合物基电介质薄膜，其特征在于，所述薄膜具有至少一个第一电介质层和与所述第一电介质层交替层叠的第二电介质层，

所述第一电介质层含有偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物P(VDF-co-HFP)和六方氮化硼h-BN，其中，以体积百分比计，两者的配比为(100-x)％P(VDF-co-HFP)–x％h-BN，1≤x≤7，

所述第二电介质层含有偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物P(VDF-co-HFP)。

2.根据权利要求1所述的铁电聚合物基电介质薄膜，其特征在于，所述薄膜的厚度为5～30μm。

3.根据权利要求1或2所述的铁电聚合物基电介质薄膜，其特征在于，所述薄膜中，x为1～5。

4.根据权利要求1或2所述的铁电聚合物基电介质薄膜，其特征在于，所述六方氮化硼h-BN的形貌为二维层状。

5.一种根据权利要求1～4任一项所述的铁电聚合物基电介质薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1)、将所述六方氮化硼h-BN与所述偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物P(VDF-co-HFP)按配比在有机溶剂中混合，得到静电纺丝液1；将所述偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物P(VDF-co-HFP)在有机溶剂中溶解，得到静电纺丝液2；

步骤2)、将所述静电纺丝液1和所述静电纺丝液2交替进行高压静电纺丝，得到无纺布状纺丝体；

步骤3)、将所述无纺布状纺丝体进行热压，自然冷却至室温后进行冷淬，得到铁电聚合物基电介质薄膜。

6.根据权利要求5所述的铁电聚合物基电介质薄膜的制备方法，其特征在于，所述六方氮化硼h-BN与所述偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物P(VDF-co-HFP)混合前，先经过剥离处理，剥离后得到少层六方氮化硼h-BN。

7.根据权利要求5或6所述的铁电聚合物基电介质薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中，高压静电纺丝的≥5.5kV，收集轮的转速≥260转/分钟，溶液推进速度≥1mL/h。

8.根据权利要求5或6所述的铁电聚合物基电介质薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，将所述无纺布状纺丝体在170～230℃，400～600dpi压力下热压25～60分钟。

9.一种根据权利要求1～4任一项所述的铁电聚合物基电介质薄膜在电气元件中的用途。