[发明专利]一种P型双面晶硅太阳电池的制作工艺

权利要求书

1.一种P型双面晶硅太阳电池的制作工艺，其特征在于， 该P 型双面晶硅太阳电池的制作工艺具体包括以下步骤：

（1）P型硅衬底双面制绒和氧化

选择电阻率为0.4-1Ω/cm 的P 型硅片，并用1.0-1.5% 的氢氧化钾溶液在80℃下对P型单晶硅表面进行化学腐蚀，制备出金字塔形状的陷光结构绒面，随后再用稀释的15% 的盐酸和氢氟酸进行清洗，除去表面杂质，再用60℃的温水进行浸泡慢提脱水氧化；

（2）在P型硅衬底的前表面先进行单面硼扩散，形成P+层

在硼源体系扩散炉中在1000-1200℃的温度下，采用三溴化硼对P型硅衬底的前表面进行硼扩散形成P+层，再对P 型硅衬底的另外一面背表面进行常规的800-850℃三氯氧磷磷扩散形成PN结，使其方阻范围是60-100Ω/□；

（3）磷硅玻璃和背面PN 结、侧面PN 结的去除

在单面刻蚀的设备中，采用氢氟酸和硝酸的混合溶液，刻蚀P型硅片的背表面和边缘，去掉背面和侧面多余的PN，再用HF酸去除表面和背面的磷硅玻璃，结束后对其双面进行臭氧氧化形成氧化硅层；

（4）沉减反射膜：

在P型硅衬底上的PN 结一侧采用等离子化学气相沉积氮化硅膜，氮化硅膜作为减反射膜，膜的厚度为80nm；

（5）制备电池的负极

采用印刷技术在经步骤（4）处理后得到的氮化硅膜表面印刷含银浆料的电池负极，并在850-900℃下烧结刺穿电池正面达到N型衬底；

（6）制备背面透明导电薄膜

用PVD对电池背面进行背面溅射镀透明导电薄膜；

（7）制备电池的正极：

采用印刷技术在经步骤（6）处理后得到的透明导电薄膜表面印刷含银浆料的电池正极，并在温度250-400℃下刺进透明导电薄膜层。

2.根据权利要求1所述的P型双面晶硅太阳电池的制作工艺，其特征在于：步骤（3）所述的氢氟酸和硝酸的混合溶液中按质量比计氢氟酸：硝酸=2:1，其中，所述氢氟酸采用5-10%的氢氟酸，所述硝酸采用5-10%的硝酸。

3.根据权利要求1所述的P型双面晶硅太阳电池的制作工艺，其特征在于：该制作工艺制作出的P 型双面晶硅太阳电池包括P型硅衬底（1）、N型硅衬底（2）、P+层（3）、氧化层（4）、氮化硅膜（5）及透明导电薄膜（6），所述P型硅衬底（1）的一侧设置有N型硅衬底（2），所述P型硅衬底（1）的另一侧设置有P+层（3），所述N型硅衬底（2）及P+层（3）上远离P型硅衬底（1）的一侧分别设置有所述氧化层（4），所述氮化硅膜（5）设置于临近N型硅衬底（2）的氧化层（4）表面，所述透明导电薄膜（6）设置于临近P+层（3）的氧化层（4）上，所述氮化硅膜（5）上还设置有电池负极（7），所述电池负极（7）刺穿达到所述N型硅衬底（2）内，所述透明导电薄膜（6）上还设有电池正极（8），所述电池正极（8）刺穿达到所述透明导电薄膜（6）内，其中：

所述的P+层（3）的材质为重掺杂硅，所述氧化层（4）为氧化硅层。

4.根据权利要求1或3所述的P型双面晶硅太阳电池的制作工艺，其特征在于：所述的透明导电薄膜为ITO。

5.根据权利要求1所述的P型双面晶硅太阳电池的制作工艺，其特征在于：步骤（7）的含银浆料为低温银浆，烧结温度为200-400℃。