[发明专利]鳍式半导体器件及其形成方法

说明书

一种鳍式半导体器件及其形成方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面形成多个鳍部掩膜侧墙，所述多个鳍部掩膜侧墙依次编号，其中，编号为奇数的奇数掩膜侧墙具有第一宽度，编号为偶数的偶数掩膜侧墙具有第二宽度，所述第一宽度与第二宽度不同；以所述鳍部掩膜侧墙为掩膜，在所述半导体衬底的表面刻蚀形成凸出的鳍部，所述鳍部包括对应于所述奇数掩膜侧墙的奇数鳍部以及对应于所述偶数掩膜侧墙的偶数鳍部。本发明方案可以使奇数鳍部的宽度与偶数鳍部的宽度不同，从而满足不同功能器件的需求。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种鳍式半导体器件及其形成方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，传统的平面式的MOS晶体管对沟道电流的控制能力变弱，造成严重的漏电流。鳍式场效应晶体管(Fin Field Effect Transistor，FinFET)是一种新兴的多栅器件，它一般包括凸出于半导体衬底表面的鳍部，覆盖部分所述鳍部的顶部表面和侧壁的栅极结构，位于栅极结构两侧的鳍部中的源漏掺杂区。

为了满足不同功能器件的需求，需要形成不同宽度的鳍部。

例如在根据FinFET形成的一种静态随机存储器(Static Random Access Memory，SRAM)中，需要获得不同的奇数鳍部的宽度与偶数鳍部的宽度，以对所述SRAM的性能参数进行调整。

因此，亟需一种获得不同的奇数鳍部的宽度与偶数鳍部的宽度的方法。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种鳍式半导体器件及其形成方法，可以使奇数鳍部的宽度与偶数鳍部的宽度不同，从而满足不同功能器件的需求。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种鳍式半导体器件的形成方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面形成多个鳍部掩膜侧墙，所述多个鳍部掩膜侧墙依次编号，其中，编号为奇数的奇数掩膜侧墙具有第一宽度，编号为偶数的偶数掩膜侧墙具有第二宽度，所述第一宽度与第二宽度不同；以所述鳍部掩膜侧墙为掩膜，在所述半导体衬底的表面刻蚀形成凸出的鳍部，所述鳍部包括对应于所述奇数掩膜侧墙的奇数鳍部以及对应于所述偶数掩膜侧墙的偶数鳍部。

可选的，在所述半导体衬底的表面形成多个鳍部掩膜侧墙包括：在所述半导体衬底的表面形成多个心轴；在所述心轴周围形成侧墙；向所述侧墙进行第一倾斜角度离子注入，以在所述心轴一侧的侧墙内形成第一掺杂区；对所述侧墙进行刻蚀以在每个心轴的两侧形成所述鳍部掩膜侧墙，其中，对所述第一掺杂区的刻蚀速率大于其他部分的刻蚀速率；去除所述心轴。

可选的，向所述侧墙进行第一倾斜角度离子注入的注入参数包括：掺杂离子选自四价离子、惰性离子、氩离子以及氮离子；注入角度为1度至30度。

可选的，所述掺杂离子为锗离子。

可选的，对所述侧墙进行刻蚀以在每个心轴的两侧形成鳍部掩膜侧墙包括：采用各向异性的干法刻蚀对所述侧墙进行刻蚀。

可选的，在所述半导体衬底的表面形成多个鳍部掩膜侧墙包括：在所述半导体衬底的表面形成多个心轴，所述心轴的顶部覆盖有硬掩膜层；向所述心轴以及所述硬掩膜层进行第二倾斜角度离子注入，以在所述心轴一侧的内部形成第二掺杂区；对所述心轴进行刻蚀以形成窄心轴，其中，对所述第二掺杂区的刻蚀速率大于其他部分的刻蚀速率，以使所述窄心轴一侧的硬掩膜层下方具有空隙；在所述窄心轴以及所述硬掩膜层的周围形成侧墙，所述侧墙填充所述空隙；去除所述硬掩膜层以及所述窄心轴，所述侧墙作为所述鳍部掩膜侧墙。

可选的，向所述心轴以及所述硬掩膜层进行第二倾斜角度离子注入的注入参数包括：掺杂离子选自四价离子、惰性离子、氩离子以及氮离子；注入角度为1度至30度。

可选的，所述鳍式半导体器件包括静态随机存储器。