[发明专利]一种电阻修调电路及方法有效
申请号: | 201710958856.3 | 申请日: | 2017-10-16 |
公开(公告)号: | CN107769767B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 杨正 | 申请(专利权)人: | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
主分类号: | H03K19/094 | 分类号: | H03K19/094 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 215100 江苏省苏州市吴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电阻 电路 方法 | ||
1.一种电阻修调电路,其特征在于,包括使能模块、检测模块、隔离模块和修调模块;
其中,所述使能模块的使能输出端与所述检测模块的使能输入端连接,所述使能模块的时钟输出端与所述隔离模块的时钟输入端连接,用于根据输入信号向所述检测模块输入使能信号,并向所述隔离模块输入时钟信号;
所述检测模块的信号输出端与所述隔离模块的信号输入端连接,用于在接收到所述使能信号之后,根据用户的输入指令向所述隔离模块输入检测信号;
所述隔离模块的信号输出端与所述修调模块的信号输入端连接,用于在所述时钟信号作用下,根据所述检测信号向所述修调模块输入控制信号;
所述修调模块包括可控开关管和修调电阻,所述可控开关管的控制端作为所述修调模块的信号输入端,所述可控开关管的第一端和第二端分别与所述修调电阻的两端连接,用于根据所述控制信号控制所述可控开关管的通断,以便控制所述修调电阻是否被短路;
其中,所述检测模块包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第二电阻、恒流源和熔丝;
其中,所述第一PMOS管的栅极作为所述检测模块的使能输入端,源极与电源连接,漏极分别与所述第二PMOS管、所述第三PMOS管和所述第四PMOS管的源极连接;所述第二PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接,并作为所述检测模块的信号输出端,栅极分别与所述第三PMOS管的栅极和漏极、所述第四PMOS管的栅极和漏极、所述第二NMOS管的栅极和漏极、所述第一NMOS管的栅极以及所述恒流源的正输出端连接;所述恒流源的负输出端接地;所述第二NMOS管的源极通过所述第二电阻接地;所述第一NMOS管的源极通过所述第一电阻与所述熔丝的第一端连接;所述熔丝的第二端接地。
2.根据权利要求1所述的电阻修调电路,其特征在于,所述使能模块包括第一反相器、第二反相器、第三反相器和与非门;所述时钟输出端包括第一时钟输出端和第二时钟输出端;
其中,所述第一反相器的输入端和输出端分别与所述与非门的第一输入端和第二输入端连接,所述第一反相器的输入端作为所述使能模块的信号输入端,用于接收所述输入信号;所述与非门的输出端作为所述使能模块的使能输出端,并与所述第二反相器的输入端连接;所述第二反相器的输出端作为所述使能模块的第一时钟输出端,并与所述第三反相器的输入端连接;所述第三反相器的输出端作为所述使能模块的第二时钟输出端。
3.根据权利要求2所述的电阻修调电路,其特征在于,所述可控开关管为PMOS管。
4.根据权利要求3所述的电阻修调电路,其特征在于,所述隔离模块包括第一CCMOS、第二CCMOS、第四反相器和第五反相器;所述隔离模块的时钟输入端包括第一时钟输入端和第二时钟输入端;
其中,所述第一CCMOS的信号输入端与所述第四反相器的输出端连接;所述第四反相器的输入端分别与所述第一CCMOS的信号输出端、所述第二CCMOS的信号输出端、所述第五反相器的输入端连接;所述第二CCMOS的信号输入端作为所述隔离模块的信号输入端;所述第一CCMOS和所述第二CCMOS的第一时钟输入端作为所述隔离模块的第一时钟输入端;所述第一CCMOS和所述第二CCMOS的第二时钟输入端作为所述隔离模块的第二时钟输入端;所述第五反相器的输出端作为所述隔离模块的信号输出端。
5.一种电阻修调方法,应用于如权利要求1至4任一项所述的电阻修调电路,其特征在于,包括:
所述使能模块根据接收到的输入信号,输出使能信号至所述检测模块,并输出所述时钟信号至所述隔离模块;
所述检测模块在接收到所述使能信号之后,根据用户的输入指令输出所述检测信号至所述隔离模块;
所述隔离模块在所述时钟信号作用下,根据所述检测信号输出所述控制信号至所述修调模块;
所述修调模块根据所述控制信号控制所述可控开关管的通断,以便控制所述修调电阻是否被短路。
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