[发明专利]一种催化材料Ag/BiV1-x

说明书

本发明公开了一种催化材料Ag/BiV_1‑xMo_xO₄的制备方法，采用Mo掺杂和贵金属负载的方法对BiVO₄进行修饰，引入了新的空位和电荷，能够扩大光吸收范围，加速光生载流子的迁移，实现电子空穴的有效分离，提高了光电转换效率和催化材料的光催化活性，制备过程简单、易于控制。

技术领域

本发明涉及催化材料领域，尤其是涉及一种催化材料 Ag/BiV_1-xMo_xO₄的制备方法。

背景技术

随着经济的飞速发展，导致日益增长的环境污染和能源危机日益突出，已经严重威胁到人类的生存和发展，更是制约着世界各国可持续发展的瓶颈。近年来，半导体光催化技术作为开发新能源和环境治理的一种有效手段正受到越来越多的关注。

目前，Bi₂WO₆、BiVO₄、BiPO₄等窄带隙可见光响应型光催化半导体材料引起国内外专家的兴趣。其中BiVO₄作为一种无毒，高稳定性，窄带隙2.4ev，优异的可见光催化活性广受关注，被认为是极具有前景的n型半导体光催化剂。但BiVO₄在实际光催化应用中电荷转移速率相对较慢，导致光生电子与空穴很快的复合，限制了光催化活性，现有的其他催化材料的光电转换效率和催化性能同样有待提高。

发明内容

本发明的目的是提供一种催化材料Ag/BiV_1-xMo_xO₄的制备方法，制备过程简单、易于控制，利用该方法制得的催化剂具有较高的光电转换效率和光催化活性。

本发明所采取的技术方案是：

本发明提供一种催化材料Ag/BiV_1-xMo_xO₄的制备方法，包括以下步骤：

(1)取铋源、配位剂和碳酸铵溶解于硝酸溶液中，搅拌，加入 NaOH调节pH至7～9，所述配位剂为偏钒酸盐和钼酸盐的混合物；

(2)将步骤(1)得到的溶液转移至反应釜内反应，分离得到固体；

(3)取所述固体分散在还原剂中，加入银源，在氙灯下照射。

优选地，所述配位剂中Mo的摩尔含量为0.5％～1.25％。

优选地，所述偏钒酸盐为偏钒酸铵、偏钒酸钠。

优选地，所述钼酸盐为钼酸铵、钼酸钠。

优选地，所述铋源：配位剂：碳酸铵：硝酸的摩尔比＝(3.5～4)： (3.5～4)：(10～12)：0.075。

优选地，所述铋源为Bi(NO₃)₃·5H₂O或BiCl₃。

优选地，在反应釜内的反应温度为150-180℃。

优选地，在氙灯下照射时间为0.5-3h。

优选地，所述还原剂为草酸铵。

优选地，所述银源为硝酸银。

本发明的有益效果是：