[发明专利]一种背钝化高效多晶硅PERC双面电池工艺

权利要求书

1.一种背钝化高效多晶硅PERC双面电池工艺，其特征在于，该工艺采用以下步骤：

(1)将硅片在NaOH/NaClO混合碱溶液中清洗，去除表面损伤层、切割线痕，同时完成双面抛光；

(2)将抛光后的硅片放入金属盐溶液中坠饰金属颗粒，

(3)将上述硅片在HF/H₂O₂氧化性溶液中进行纳米结构绒面制备；

(4)对硅片进行金属颗粒去除处理；

(5)将具有纳米绒面的硅片放入氢氧化钾溶液改善纳米绒面结构；

(6)将硅片放入低浓度氢氧化钾溶液中进行绒面修正；

(7)将上述硅片在高温炉中POCl₃单面沉积扩散；

(8)采用一步法湿法刻蚀去除磷硅玻璃并抛光硅片背面；

(9)在板式ALD设备将硅片正面沉积Al₂O₃层；

(10)采用PECVD设备在上述硅片抛光面和步骤(9)中的正面沉积SiN_x薄膜；

(11)在硅片背面形成的背钝化层上开槽开孔；

(12)丝网印刷烧结背铝栅线电极、背银电极及正银电极即可。

2.根据权利要求1所述的一种背钝化高效多晶硅PERC双面电池工艺，其特征在于，步骤(5)采用浓度为0.5-2wt％的氢氧化钾溶液，在20-50℃的温度下处理硅片60-240s，改善纳米多孔结构。

3.根据权利要求1所述的一种背钝化高效多晶硅PERC双面电池工艺，其特征在于，步骤(6)采用浓度为0.05-0.1wt％的低浓度氢氧化钾溶液在20-50℃的温度下处理硅片60-240s，对绒面进行二次修正。

4.根据权利要求1所述的一种背钝化高效多晶硅PERC双面电池工艺，其特征在于，步骤(1)中所述的NaOH/NaClO混合碱溶液中NaOH与NaClO的体积比为3:1～1:1。

5.根据权利要求1所述的一种背钝化高效多晶硅PERC双面电池工艺，其特征在于，步骤(2)中采用浓度为0.003-0.05mol/L的硝酸银或硝酸铜溶液在超声作用下坠饰金属颗粒，超声频率为20-40kHz，超声功率为0.2-0.5W/cm²。

6.根据权利要求1所述的一种背钝化高效多晶硅PERC双面电池工艺，其特征在于，步骤(9)中所述的Al₂O₃层的厚度为10-20nm。

7.根据权利要求1所述的一种背钝化高效多晶硅PERC双面电池工艺，其特征在于，步骤(10)中在硅片抛光面沉积的SiN_x薄膜的厚度为50-100nm，在硅片正面沉积的SiN_x薄膜的厚度为75-85nm。

8.根据权利要求1所述的一种背钝化高效多晶硅PERC双面电池工艺，其特征在于，步骤(11)采用激光开槽、化学湿法刻蚀、光刻或类光刻工艺在背钝化层开槽开孔。