[发明专利]一种基于Type-C耳机的省电电路和省电方法有效

专利信息
申请号: 201710963287.1 申请日: 2017-10-13
公开(公告)号: CN109672950B 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 杨江涛;张洵 申请(专利权)人: 华为终端有限公司
主分类号: H04R1/10 分类号: H04R1/10
代理公司: 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 代理人: 王仲凯
地址: 523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 type 耳机 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种基于Type-C耳机的省电电路,其特征在于,包括:

开关模块、处理模块和Type-C接口连接器;

所述开关模块分别与所述处理模块、所述Type-C接口连接器连接,所述Type-C接口连接器与所述处理模块连接;

所述开关模块用于改变CC引脚的对地阻抗,下拉电阻R1与所述Type-C接口连接器的CC引脚相连;

所述处理模块用于检测所述CC引脚的对地阻抗;

所述Type-C接口连接器用于连接终端设备;

当所述开关模块断开时,所述CC引脚的对地阻抗不变,以使得所述终端设备的物理层PHY模块保持下电状态;

当所述开关模块闭合时,所述下拉电阻R1被短路,所述CC引脚的对地阻抗变小,所述处理模块通过所述Type-C接口连接器发送唤醒信号至所述终端设备,以使得所述终端设备的PHY模块从下电状态变为上电状态。

2.根据权利要求1所述的省电电路,其特征在于,

所述开关模块包括:下拉开关S1和保护电阻R2;

所述下拉开关S1用于控制所述CC引脚的对地阻抗大小;

所述保护电阻R2用于减小所述下拉开关S1的电流,以使得所述下拉开关S1不被击穿。

3.根据权利要求2所述的省电电路,其特征在于,所述下拉开关S1为N型金属氧化物半导体NMOS管。

4.根据权利要求3所述的省电电路,其特征在于,包括:

所述NMOS管的栅极与所述处理模块的通用输入/输出接口相连;

所述NMOS管的源极与所述下拉电阻R1的第一端相连;

所述NMOS管的漏极与所述下拉电阻R1的第二端相连;

所述保护电阻R2的一端与所述NMOS管的栅极连接,所述保护电阻R2的另一端与所述NMOS管的源极相连。

5.根据权利要求1所述的省电电路,其特征在于,所述处理模块包括:PD/TypeC识别芯片;

所述PD/TypeC识别芯片用于识别所述CC引脚的对地阻抗变化。

6.一种基于Type-C耳机的省电方法,其特征在于,应用于基于Type-C耳机的省电电路,所述省电电路包括开关模块、处理模块和Type-C接口连接器,所述开关模块分别与所述处理模块、所述Type-C接口连接器连接,所述Type-C接口连接器与所述处理模块连接,所述开关模块用于改变CC引脚的对地阻抗,下拉电阻R1与所述Type-C接口连接器的CC引脚相连,所述省电方法包括:

所述处理模块判断耳机是否在预置时长内无音频业务运行;

若有音频业务运行,则所述处理模块继续保持物理层PHY模块为上电状态;

若无音频业务运行,则所述处理模块将所述PHY模块下电进入睡眠状态;

当所述PHY模块下电进入睡眠状态时,所述处理模块判断是否有耳机按键事件;

若无耳机按键事件发生,则所述处理模块保持开关模块为断开状态,继续保持所述PHY模块为下电状态;

若有耳机按键事件发生,则所述处理模块闭合所述开关模块,将所述PHY模块从睡眠状态唤醒。

7.根据权利要求6所述的省电方法,其特征在于,包括:

当所述开关模块断开时,所述CC引脚的对地阻抗不变,以使得终端设备的PHY模块保持下电状态;

当所述开关模块闭合时,所述下拉电阻R1被短路,所述CC引脚的对地阻抗变小,所述处理模块通过所述Type-C接口连接器发送唤醒信号至所述终端设备,以使得所述终端设备的PHY模块从下电状态变为上电状态。

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