[发明专利]包括存储器件和存储器控制器的存储系统

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年10月21日提交的申请号为10-2016-0137338的韩国专利申请的优先权，其整体内容通过引用合并于此。

技术领域

示例性实施例涉及一种存储系统，更具体地，涉及一种包括用于根据温度来调节存储器件的操作时序的存储器控制器的存储系统。

背景技术

存储系统应用于针对消费者或工业的各种电子设备，例如，计算机、蜂窝电话、个人数字助理(PDA)、数码相机、游戏机、导航设备等，并且可以用作主储存设备或辅助储存设备。用于实现存储系统的存储器件主要被分成易失性存储器件和非易失性存储器件。

易失性存储器件具有快速的写入速度和读取速度，但是当电源切断时储存的数据丢失。易失性存储器件包括动态随机存取存储器(DRAM)、静态RAM(SRAM)等。可选地，非易失性存储器件具有较慢的写入速度和读取速度，但是即使当电源切断时储存的数据仍被保留。因此无论电源供应如何，为了储存要被基本上维持的数据，使用非易失性存储器件。非易失性存储器件包括只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、快闪存储器、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电式RAM(FRAM)等。

为了基本上防止存储系统的操作错误等，存储器件的制造商和供应商规定了存储器件的稳定操作的规范。这些规范是基于存储器件中可能出现的最坏的情况，但是在规范与存储器件的实际性能和状况之间可能存在差异。

例如，在DRAM中，当一个存储单元正常储存数据时存在所需的物理时间。即，为了将数据写入存储单元中以及然后从存储单元无误地读取所写入的数据，需要规定的时间。这是写入恢复时间(tWR)，且与此相关的特性可以在DRAM中被规定为规范。例如，DRAM的写入恢复时间(tWR)可以规定成从写入命令的输入时间到与其相对应的预充电命令的输入时间。当写入恢复时间(tWR)特性被设置有足够裕度时，可能劣化存储器件的高速操作，但是当写入恢复时间(tWR)特性未被设置有裕度时，写入操作可能不能正常完成，且可能出现读取错误。

此外，随着存储器件的工艺技术的发展以及其尺寸逐渐减小，位线或储存节点的电阻可以增加，导致储存数据所需的时间变化。具体地，由于这样的参数对存储器件的工作温度敏感，因此有必要通过优化温度的控制以及基于规范的控制来提升存储系统的性能。

发明内容

各种实施例针对一种存储器控制器及包括其的存储系统，该存储器控制器能够通过测量存储器件的温度并基于测量的温度调节存储器件的操作时序来优化存储器件的性能。

根据本发明的一个实施例，一种存储系统包括：存储器件，被配置成用响应于写入命令和预充电命令而调节的第一时间间隔来储存输入数据；以及控制器，被配置成产生写入命令和预充电命令，以及被配置成控制存储器件，其中，控制器根据存储器件的温度来设置第一时间间隔的变化速率，以及基于设置的变化速率和存储器件的温度来调节写入命令与预充电命令之间的时间间隔。

根据本发明的一个实施例，一种存储系统包括：存储器件，被配置成产生并输出基于内部温度的数字码；以及控制器，被配置成产生用于存储器件的写入操作的写入命令和预充电命令，以及被配置成控制存储器件，其中，当存储器件的内部温度增加时，控制器基于数字码而减小写入命令与预充电命令之间的时间间隔。

附图说明

图1是图示根据本发明的一个实施例的存储系统的框图。

图2是描述从图1中所示的存储器件提供给控制器的温度码的配置的示图。

图3是图示图1中所示的时序调度器的框图。

图4是图示通过图1中所示的控制器的命令发生时序的示图。

具体实施方式

下面将参考附图对各种实施例进行更加详细的描述。然而，本发明可以以不同的形式来实现，而不应被解释为局限于本文中所阐述的实施例。相反地，提供这些实施例使得本公开将是彻底且完整的，且将本发明的范围充分地传递给本领域技术人员。贯穿本公开，相同的附图标记在本发明的各个附图和实施例中始终指代相同的部分。

图1是图示根据本发明的一个实施例的存储系统100的框图。

参考图1，存储系统100可以包括控制器200和存储器件300。