[发明专利]半导体封装结构

说明书

提供半导体封装结构，半导体封装结构包含芯片结构，半导体封装结构包含第一导电结构位于芯片结构上方，第一导电结构电性连接至芯片结构，第一导电结构包含第一过渡层位于芯片结构上方以及第一导电层位于第一过渡层上，第一导电层大致由双晶铜制成。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术，且特别涉及半导体封装结构。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)工业已经历了快速成长。在集成电路材料和设计上的技术进步产生了数代集成电路，每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。然而，这些进步增加了加工与制造集成电路的复杂性。

在集成电路的发展史中，功能密度(即每一芯片区互连的装置数目)增加，同时几何尺寸(即制造过程中所产生的最小的组件(或线路))缩小。此元件尺寸微缩化的工艺一般来说具有增加生产效率与降低相关费用的益处。

然而，由于部件(feature)尺寸持续缩减，制造工艺持续变的更加难以实施。因此，形成越来越小的尺寸的可靠的半导体装置是个挑战。

发明内容

在一些实施例中，提供半导体封装结构，半导体封装结构包含芯片结构；以及第一导电结构，位于芯片结构上方，其中第一导电结构电性连接至芯片结构并包含第一过渡层，位于芯片结构上方；及第一导电层，位于第一过渡层上，第一导电层大致由双晶铜制成。

在一些其他实施例中，提供半导体封装结构，半导体封装结构包含芯片结构；模封层，围绕芯片结构；导通孔结构，穿透模封层；以及重布线结构，位于导通孔结构和模封层上方，其中重布线结构连接至导通孔结构并包含第一过渡层，及第一导电层，位于第一过渡层上方，第一导电层大致由双晶铜制成。

在一些其他实施例中，提供半导体封装结构的形成方法，此方法包含提供芯片结构和围绕芯片结构的模封层，实施脉冲电镀工艺于芯片结构和模封层上方，以形成过渡层于芯片结构和模封层上方，其中过渡层包含双晶铜，且在过渡层中的第一双晶铜体积百分比朝远离芯片结构和模封层的方向增加；以及实施直流电镀工艺于过渡层上，以形成第一导电层于过渡层上方，其中第一导电层大致由双晶铜制成，且过渡层和第一导电层共同形成第一导线。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附附图可以更加理解本公开实施例。应注意的是，根据本产业的标准惯例，图示中的各种部件并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小各种部件的尺寸，以做清楚的说明。

图1A-图1P为依据一些实施例的形成半导体封装结构的工艺的各种阶段的剖面示意图。

图1I-1为依据一些实施例的图1I中的两条导线、芯片结构的角落部分、介电层的一部分以及模封层的上视图。

图1I-2为依据一些实施例的图1I的区域A的放大图。

图1J-1为依据一些实施例的图1J的区域B的放大图。

图1J-2为依据一些实施例的图1J中的导线、介电层的一部分以及芯片结构的上视图。

图2为依据一些实施例的半导体封装结构的剖面示意图。

图3为依据一些实施例的半导体封装结构的剖面示意图。

图4为依据一些实施例的半导体封装结构的剖面示意图。

图5为依据一些实施例的半导体封装结构的剖面示意图。

图6为依据一些实施例的形成半导体封装结构的流程图。

图7为依据一些实施例的半导体封装结构的剖面示意图。

附图标记说明：

110 承载基板