[发明专利]射频电路、射频电路的配置方法和装置有效

专利信息
申请号: 201710964640.8 申请日: 2017-10-17
公开(公告)号: CN109672455B 公开(公告)日: 2021-11-12
发明(设计)人: 罗迤宝;王立;李林 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: H04B1/00 分类号: H04B1/00;H04W88/06
代理公司: 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 代理人: 王金双
地址: 518057 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 射频 电路 配置 方法 装置
【说明书】:

发明提供了一种射频电路、射频电路的配置方法和装置,通过本发明在通过天线接收射频信号的情况下,判断射频信号中是否包含预设频段信号;在判断结果为是的情况下,通过第二天线开关从射频信号中分离出预设频段信号;将预设频段信号返回至射频芯片,其中,通过第一天线开关向射频芯片返回第二天线开关分离预设频段信号后的其他信号,解决了由于现有LTE射频电路中各个模式信号通过合路器共用一个天线,由于合路器插损太大导致影响高频信号接收的问题,进而达到了减小接收通路插损的效果。

技术领域

本发明涉及通信领域,具体而言,涉及一种射频电路、射频电路的配置方法和装置。

背景技术

目前的手机都进入了第四代移动通信(The 4th Generation of mobilephonemobile communication technology standards,简称4G)时代,长期演进型(Long TermEvolution,简称LTE)成为了标配,目前国内的LTE分为两个制式,分别是长期演进型时分双工(Time Division Duplexing,简称TDD LTE)和长期演进型频分双工(FrequencyDivision Duplexing,简称FDD LTE)。

这两种制式TDD LTE分配的频段主要是相对较高的频段,射频通路上高频信号的损耗较大,在4G+技术演进中,载波聚合对高频射频指标提出了更高的要求,尤其是金属外壳手机,主天线受结构限制一般没办法把高频和中低频天线分开,高频和中低频段的载波聚合需要在射频主通路上增加合路器,这样就加大了高频频段的损耗,这样手机灵敏度等指标连达标都很困难。

其中,在已有的载波聚合(Carrier Aggregation,简称CA)下行技术推荐方案中也充分考虑了高频损耗过高的问题,很多推荐电路都是把低频,中频段和高频分开,这样射频通路的环节没有合路器的损耗,高频的射频性能可以满足要求的指标。但是在全金属后盖的手机方案中,主天线分成两个天线实现起来非常的困难,所以不可避免的要使用合路器,但是合路器目前的工艺对高频的插损较大,对射频性能的影响也很难避免。

现有的下行载波聚合方案中的带间载波聚合,往往会出现高中低各有一个频段的组合,而且通常项目为了兼容各个国家运营商的需求,一块主板要兼容多种这样的组合,在这种组合里存在某个频段复用的情况,因此靠传统的四工器,三工器来实现载波聚合复用的频段就会冲突,因此在天线端口的增加高中低频的合路器可以解决这个问题,但合路器的高频插损问题也是十分的突出。

在相关技术中提供了一种在非载波聚合的手机的LTE射频电路,图1是相关技术中一种在非载波聚合的LTE射频电路的结构示意图,该LTE射频电路图如图1所示,LTE频段主集通常多模共用一个天线,通过天线开关把TDD接收发射,FDD的天线公共端接入到天线。

针对相关技术中由于现有LTE射频电路中各个模式信号通过合路器共用一个天线,由于合路器插损太大导致影响高频信号接收的问题,目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本发明实施例提供了一种射频电路、射频电路的配置方法和装置,以至少解决相关技术中由于现有LTE射频电路中各个模式信号通过合路器共用一个天线,由于合路器插损太大导致影响高频信号接收的问题。

根据本发明的一个实施例,提供了一种射频电路,包括:天线、天线开关组、合路器和射频芯片;其中,射频芯片的输出端分别与天线开关组的第一天线开关的输入端连接,以及,与天线开关组的第二天线开关的输入端连接;第一天线开关,用于将非聚合载波的信号进行分类,得到各类频率的信号;合路器的输入端与第一天线开关的输出端连接,合路器的输出端与第二天线开关连接,用于将各类频率的信号进行合路;第二天线开关的输入端分别与射频芯片和合路器连接,第二天线开关的输出端与天线连接,用于接收射频芯片输出的非聚合载波的时分双工接收信号,并将通过合路器合并后的信号与非聚合载波的时分双工接收信号通过天线发送。

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