[发明专利]于记忆装置中进行编程管理的方法、记忆装置及控制器

说明书

本发明公开了一种用来于一记忆装置中进行编程管理的方法以及所述记忆装置及其控制器。所述记忆装置包括一非挥发性存储器，且所述非挥发性存储器包括多个非挥发性存储器组件。所述方法包括有：于编程所述多个非挥发性存储器组件中的一目标非挥发性存储器组件之前，所述控制器检查所述多个非挥发性存储器组件中的另一非挥发性存储器组件是否处于一忙碌状态或一非忙碌状态；以及当所述另一非挥发性存储器组件进入所述非忙碌状态时，所述控制器编程所述目标非挥发性存储器组件。本发明的有益之处在于，能够在不增加额外成本的情况下避免记忆装置的瞬间功耗超过预定的产品规格。

技术领域

本发明是涉及闪存(Flash memory)的存取(access)，尤其涉及一种用来于一记忆装置中进行编程(programming)管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器。

背景技术

近年来由于存储器的技术不断地发展，各种可携式记忆装置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、或XD标准的记忆卡)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些可携式记忆装置中的存储器的访问控制遂成为相当热门的议题。

以常用的NAND型闪存而言，其主要可区分为单阶细胞(single level cell,SLC)与多阶细胞(multiple level cell,MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞(memory cell)的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管的存储能力则被充分利用，是采用较高的电压来驱动，以通过不同级别的电压在一个晶体管中记录至少两组位信息(诸如00、01、11、10)；理论上，多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的至少两倍，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。

相较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的可携式记忆装置竞相采用的主流。然而，多阶细胞闪存的不稳定性所导致的问题也一一浮现。为了确保可携式记忆装置对闪存的访问控制能符合相关规范，闪存的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理数据的存取。

依据相关技术，有了这些管理机制的记忆装置还是有不足之处。举例来说，因应的某些类型的写入(write)/编程(program)运作，记忆装置的瞬间功耗(instantaneouspower consumption)可能过大而超过预定的产品规格。因此，需要一种新颖的方法及存储器存取架构，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下达到记忆装置的优化(optimal)效能。

发明内容

本发明的一目的在于公开一种用来于一记忆装置中进行编程(programming)管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以解决上述问题。

本发明的另一目的在于公开一种用来于一记忆装置中进行编程管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下达到记忆装置的优化(optimal)效能。

本发明的至少一实施例公开一种用来于一记忆装置中进行编程管理的方法，其中所述记忆装置包括一非挥发性存储器(non-volatile memory,NV memory)，且所述非挥发性存储器包括多个非挥发性存储器组件(NV memory element)。例如，所述方法可包括：于编程所述多个非挥发性存储器组件中的一目标非挥发性存储器组件之前，检查所述多个非挥发性存储器组件中的另一非挥发性存储器组件是否处于一忙碌(busy)状态或一非忙碌(non-busy)状态；以及当所述另一非挥发性存储器组件进入所述非忙碌状态时，编程所述目标非挥发性存储器组件。