[发明专利]DRAM的帮浦系统及其操作方法

说明书

本揭露是关于一种DRAM(dynamic random access memory)的帮浦系统及其操作方法。该帮浦系统包含一帮浦元件与一备用帮浦组件。该帮浦元件响应一正常指令且在没有其他备用帮浦元件的情况下，提供足以使得该DRAM的一储存库(bank)以一正常刷新率操作的电流，其中该正常指令代表该储存库被指示以该正常刷新率操作。该备用帮浦组件包含一第一备用帮浦元件，经配置以响应一第一指令且结合该帮浦元件，提供足以使得该储存库以一第一刷新率操作的电流，该第一刷新率大于该正常刷新率，其中该第一指令代表该储存库被指示以该第一刷新率操作。

技术领域

本揭露是关于一种帮浦系统及其操作方法，更特别地，本揭露是关于一种提供电流至DRAM(dynamic random access memory)之储存库的帮浦系统及其操作方法。

背景技术

电压调节器(voltage regulator，VR)通常应用于传送电力，其中输入电压需要以小于1(unity)至大于1(unity)的比率范围转换成输出电压。

上文之「先前技术」说明仅是提供背景技术，并未承认上文之「先前技术」说明揭示本揭露之标的，不构成本揭露之先前技术，且上文之「先前技术」之任何说明均不应作为本案之任一部分。

发明内容

本揭露的实施例提供一种DRAM的帮浦系统。该帮浦系统包含一帮浦元件与一备用帮浦组件。该帮浦元件响应一正常指令且不需要其他备用帮浦元件的情况下，提供足以使得该DRAM的一储存库以一正常刷新率操作的电流，其中该正常指令代表该储存库被指示以该正常刷新率操作。该备用帮浦组件包含一第一备用帮浦元件，该第一备用帮浦元件经配置以响应一第一指令且结合该帮浦元件，提供足以使得该储存库以一第一刷新率操作的电流，该第一刷新率大于该正常刷新率，该第一指令代表该储存库被指示以该第一刷新率操作，其中该备用帮浦组件仅在藉由一金属选择(metal option)重新设计该DRAM的一电路结构时才结合该帮浦元件提供电流。

在本揭露的一些实施例中，该第一刷新率为该正常刷新率的两倍刷新率。

在本揭露的一些实施例中，该帮浦系统另包含一控制器，经配置以响应该正常指令禁能该第一备用帮浦元件。

在本揭露的一些实施例中，该控制器另经配置以接收一致能讯号，并且藉由不传送该致能讯号至该第一备用帮浦元件禁能该第一备用帮浦元件。

在本揭露的一些实施例中，当该控制器接收该致能讯号与该正常指令二者时，该控制器禁能该第一备用帮浦元件。

在本揭露的一些实施例中，该帮浦系统另包含一控制器，经配置以响应该第一指令致能该第一备用帮浦元件。

在本揭露的一些实施例中，该控制器另经配置以接收一致能讯号，并且藉由将该致能讯号送至该第一备用帮浦元件而使得该第一备用帮浦元件致能。

在本揭露的一些实施例中，当该控制器接收该致能讯号与该第一指令二者时，该控制器致能该第一备用帮浦元件。

在本揭露的一些实施例中，该备用帮浦组件另包含一第二备用帮浦元件，经配置以于该储存库被指示操作的任何刷新率的情况下皆维持禁能状态，其中该第一备用帮浦元件与该第二备用帮浦元件皆为一帮浦元件。

本揭露的另一实施例提供一种DRAM的帮浦系统。该帮浦系统包含一帮浦元件、与该帮浦元件互相独立的一备用帮浦组件、以及一控制器。该控制器经配置以基于该DRAM的一储存库被指示操作的一刷新率，致能该备用帮浦组件，该备用帮浦组件结合该帮浦元件提供足以使得该DRAM的该储存库以该刷新率操作的电流，或禁能该备用帮浦组件，在没有该备用帮浦组件情况下，该帮浦元件提供足以使得该DRAM的该储存库以该刷新率操作的电流。